“山田明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]激光加工装置-CN202180067564.5在审
发明人：冲田功;柳田洋司;山田明 -专利权人：小松NTC株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：一种激光加工装置，具备运输装置、激光照射部、控制器以及导向件。运输装置沿运输方向运输带状电极。激光照射部对带状电极照射激光，能够变更激光的照射方向。控制器以通过使激光在带状电极上按照规定的轨迹移动而将带状电极切断成薄片形状的方式控制激光照射部。导向件保持带状电极。导向件包含缺口。缺口具有沿着规定的轨迹的至少一部分的形状。
激光加工装置

[发明专利]激光加工装置-CN202180067565.X在审
发明人：冲田功;柳田洋司;山田明 -专利权人：小松NTC株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B23K26/082 文献下载
摘要：控制器通过使激光在带状电极上按照规定的轨迹移动，将带状电极切断成薄片形状。规定的轨迹包含第一轨迹、第二轨迹以及第三轨迹。第一轨迹从第一位置延伸至第二位置。第二位置在与运输方向垂直的宽度方向上位于比第一位置靠外侧且位于运输方向上。第二轨迹从第二位置延伸至第三位置。第三位置相对于第二位置位于运输方向相反的方向上。第三轨迹从第三位置延伸至第四位置。
激光加工装置

[发明专利]半导体装置-CN201780068708.2有效
发明人： 山田明;樱井晋也;中野敬志;近藤阳介;本岛六都也 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：对于GGMOS的1个单元将N型体区域(5)配置多个，并且将N型体区域(5)的N型杂质浓度设定得较低，从而与阴极电极进行肖特基接触。具体而言，包围构成GGMOS的单元而将N型体区域(5)配置多个。由此，能够提高体接触电阻，能够提高基极电阻，所以能够更早地使寄生PNP晶体管导通。因而，能够可靠地抑制对被保护元件流过浪涌电流。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480069614.3有效
发明人：龟冈纮;高桥茂树;山田明;笠原淳志 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置具备横型晶体管，该横型晶体管具有：具有漂移层(2)的半导体衬底(1)；上述漂移层内的第1杂质层(4)；上述漂移层内的沟道层(6)；上述沟道层内的第2杂质层(7)；上述沟道层与上述第1杂质层之间的上述漂移层上的分离用绝缘膜(3)；上述第2杂质层与上述漂移层之间的沟道区域上的、与上述分离用绝缘膜相连的栅极绝缘膜(10)；上述栅极绝缘膜上与上述分离用绝缘膜上的栅极电极(11)；与上述第1杂质层连接的第1电极(12)；与上述第2杂质层以及上述沟道层连接的第2电极(13)；以及在上述栅极电极与上述第1电极之间的上述分离用绝缘膜之上与上述第1电极连接的场板(14)。上述场板相比于上述栅极电极而言，在电流方向上的尺寸较大。
半导体装置

[发明专利]化合物半导体薄膜的制作方法及具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池-CN201380028495.2有效
发明人：张毅闻;山田明;和田隆博 -专利权人：凸版印刷株式会社;国立大学法人东京工业大学;学校法人龙谷大学
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的特征在于具备下述工序：将含有50质量％以上的为无定形状的化合物纳米粒子的化合物半导体薄膜制作用油墨进行涂布或印刷、形成化合物半导体涂膜的工序；对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的工序；以及对所述化合物半导体涂膜进行热处理、形成化合物半导体薄膜的工序。
化合物半导体薄膜制作方法具备太阳能电池

[发明专利]化合物半导体薄膜形成用油墨及其制造方法-CN201280048204.1无效
发明人：张毅闻;山田明 -专利权人：凸版印刷株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明为使含有金属盐或金属配位化合物的溶液与含有硫属化物盐的溶液发生反应来获得CZTS化合物纳米粒子的CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子的制造方法。通过将该CZTS化合物半导体薄膜形成用纳米粒子进行涂布或印刷、并进行热处理，可以形成CZTS化合物半导体薄膜，从而可以构成具备该CZTS化合物半导体薄膜作为光吸收层（103）的太阳能电池。
化合物半导体薄膜形成油墨及其制造方法

[发明专利]电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件-CN201410009511.X有效
发明人：白木聪;户仓规仁;高桥茂树;山本昌弘;山田明;工藤弘康;芦田洋一;中川明夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底（1，21）、位于衬底（1，21）上的第一电极（12，29）、位于衬底（1，21）上的第二电极（13，28）以及位于衬底（1，21）中以将衬底（1，21）划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构（1d，21d，56）。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极（12，29）和第二电极（13，28）之间流动以使得第一电流沿着衬底（1，21）的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
电流传感器逆变器电路以及具有半导体器件

[发明专利]横向半导体器件-CN201280023653.0无效
发明人：铃木隆司;户仓规仁;白木聪;高桥茂树;芦田洋一;山田明 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区（28）周围的电路。所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间。所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上。在所述第一半导体区和所述第二半导体区（28，23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻。所述电阻性场板（30）包括分别形成在所述第一部分和第二部分中的第一和第二电阻性场板部分（34），并且所述第一和第二电阻性场板部分（34）彼此分离。
横向半导体器件

[发明专利]化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201180063037.3在审
发明人：张毅闻;山田明 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开一种化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，具备由化合物半导体构成的光吸收层和形成在该光吸收层上的缓冲层，其中，上述缓冲层是采用包含至少含有金属元素和第16族元素的纳米粒子的油墨来形成的。
化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]化合物半导体薄膜制作用油墨、使用该油墨获得的化合物半导体薄膜、具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池及该太阳能电池的制造方法-CN201180039712.9有效
发明人：张毅闻;山田明 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开了使含有含S原子或Se原子的化合物的粘合剂和金属化合物粒子分散在有机溶剂中而成的化合物半导体薄膜形成用油墨。通过涂布或印刷该化合物半导体薄膜形成用油墨并实施热处理，可以形成化合物半导体薄膜，可以构成具备该化合物半导体薄膜作为光吸收层的太阳能电池。
化合物半导体薄膜制作油墨使用获得具备太阳能电池制造方法

[发明专利]具有横向元件的半导体器件-CN201210369374.1有效
发明人：酒井健;山田明;高桥茂树;芦田洋一;白木聪 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。
具有横向元件半导体器件

[发明专利]电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件-CN201110154131.1有效
发明人：白木聪;户仓规仁;高桥茂树;山本昌弘;山田明;工藤弘康;芦田洋一;中川明夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。
电流传感器逆变器电路以及具有半导体器件

[发明专利]图像处理装置-CN200980000299.8无效
发明人： 山田明;高松杰 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G06T1/00 文献下载
摘要：图像处理装置，具备控制部(该控制部根据用户的指令，设定多组调整尺寸条件中的1组)和图像处理部(该图像处理部按照设定的1组的调整尺寸条件，对多个图像的每一个进行调整尺寸处理。在多组调整尺寸条件的每一个中，对于多种图像的纵横比的每一个，规定调整尺寸处理后的图像尺寸；图像处理部，根据调整尺寸处理的对象—各图像的纵横比，确定1组的调整尺寸条件规定的调整尺寸处理后的图像尺寸，根据确定的所述尺寸，进行调整尺寸处理。提供可以对多个图像文件的图像进行成批的调整尺寸处理，从而提高用户操作的便利性的图像处理装置。
图像处理装置

[发明专利]半导体装置-CN200810184399.8有效
发明人：曾根弘树;山田明;白木聪;赤木望 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置。该半导体装置包括包含有源层(101)、掩埋绝缘膜(103)和支撑衬底(102)的SOI衬底(104)；位于有源层(101)中且在第一基准电位下可操作的低电位基准电路部件(LV)；位于有源层(101)中且在第二基准电位下可操作的高电位基准电路部件(HV)；位于有源层(101)中且用于在第一和第二基准电位之间提供电平移动的电平移动元件形成部件(LS)；以及使支撑衬底(102)的第一和第二部分互相绝缘的绝缘构件(130)，其中所述第一和第二部分的位置分别对应于低和高电位基准电路部件(LV、HV)。
半导体装置

[发明专利]具有高击穿电压晶体管的半导体器件-CN200810170454.8有效
发明人： 山田明;赤木望 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有半导体层(4)的高击穿电压晶体管(3)。该半导体层(4)具有元件部分(8)和布线部分(9)。元件部分(8)具有在半导体层(4)的正面上的第一布线(18)和在半导体层(4)的背面上的背面电极(19)。元件部分(8)构成为垂直晶体管，使电流在半导体层(4)的厚度方向上在第一布线(18)和背面电极(19)之间流动。背面电极(19)延伸到布线部分(9)。布线部分(9)具有在半导体层(4)的正面上的第二布线(23)。提供布线部分(9)和背面电极(19)作为允许电流流到第二布线(23)的拉线。
具有击穿电压晶体管半导体器件

1
2
下一页»
尾页
共 27 条