[发明专利]绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：将安装在处理室内的衬底的温度保持为第一温度，将原料气体导入所述处理室中，将高频功率供应到所述处理室内的电极，以在所述衬底上形成绝缘膜，

其中，所述第一温度是180℃以上且260℃以下，

当导入所述原料气体时，将所述处理室中的压力设定为100Pa以上且250Pa以下，

并且，所述高频功率为0.17W/cm²以上且0.5W/cm²以下。

2. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述绝缘膜是氧化硅膜或氧氮化硅膜，并且所述原料气体包含含有硅的沉积气体及氧化气体。

3. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述绝缘膜是氧氮化硅膜，并且所述原料气体包含硅烷及一氧化二氮。

4. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述衬底包括：

    栅电极；

    与所述栅电极邻近的栅极绝缘膜；

    隔着所述栅极绝缘膜重叠于所述栅电极的一部分的氧化物半导体膜；以及

    与所述氧化物半导体膜接触的一对电极，

并且，所述绝缘膜形成在所述氧化物半导体膜及所述一对电极上作为保护膜。

5. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述栅极绝缘膜在所述栅电极上，并且所述一对电极在所述氧化物半导体膜上。

6. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述一对电极在所述氧化物半导体膜上，并且所述栅极绝缘膜在所述氧化物半导体膜及所述一对电极上。

7. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在形成所述绝缘膜之后，以所述第一温度以上的第二温度进行加热处理。

8. 根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二温度是250℃以上且低于所述衬底的应变点。

9. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体膜包含铟、镓及锌。

10. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体膜包含c轴取向结晶部。

11. 一种半导体装置，包括：

绝缘表面上的栅电极；

所述栅电极上的栅极绝缘膜；

隔着所述栅极绝缘膜重叠于所述栅电极的一部分的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；以及

所述氧化物半导体膜及所述一对电极上的保护膜，

其中，所述保护膜是通过电子自旋共振法测定的在g=2.001处的信号的自旋密度低于1.5×10¹⁸spins/cm³的氧化绝缘膜。

12. 根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述保护膜是氧化硅膜或氧氮化硅膜。

13. 根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包含铟、镓及锌。

14. 根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包含c轴取向结晶部。

15. 一种半导体装置，包括：

绝缘表面上的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；

所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；

隔着所述栅极绝缘膜重叠于所述氧化物半导体膜的栅电极；以及

所述栅极绝缘膜及所述栅电极上的保护膜，

其中，所述保护膜是通过电子自旋共振法测定的在g=2.001处的信号的自旋密度低于1.5×10¹⁸spins/cm³的氧化绝缘膜。

16. 根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述保护膜是氧化硅膜或氧氮化硅膜。

17. 根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述一对电极在所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体膜之间。

18. 根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述一对电极在所述氧化物半导体膜和所述保护膜之间。