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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201910839846.7有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910929577.3有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202111335062.4有效
发明人：中泽安孝;肥塚纯一;羽持贵士 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含氧化物，第二导电膜的端部包括包含铜及另一种元素的区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910694618.5有效
发明人：佐佐木俊成;羽持贵士;宫本敏行;野村昌史;肥塚纯一;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中，抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，优选小于或等于3×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，优选小于或等于5×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN202210637773.5在审
发明人：神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及电子设备-CN201780012189.8有效
发明人：神长正美;肥冢纯一;羽持贵士;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
半导体装置制造方法显示装置以及电子设备

[发明专利]半导体装置以及晶体管-CN202111357336.X在审
发明人：中泽安孝;肥塚纯一;羽持贵士 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括玻璃衬底和沟道蚀刻型晶体管的半导体装置。沟道蚀刻型晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、第二绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第三绝缘膜、像素电极以及包含铜的导电膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含第一元素，第一导电膜及第三导电膜包含相同的第二元素，氧化物半导体膜包含铟、镓和锌。
半导体装置以及晶体管

[发明专利]半导体装置以及晶体管-CN202111357360.3在审
发明人：中泽安孝;肥塚纯一;羽持贵士 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及在第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜。源电极和漏电极都包括第一导电膜以及在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜。第一导电膜包含钛，第二导电膜包含铜，第二导电膜的端部包括具有包含铜的化合物的区域。
半导体装置以及晶体管

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN201780006127.6有效
发明人：中泽安孝;肥塚纯一;羽持贵士 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含抑制铜的扩散的材料，第二导电膜的端部包括包含铜及硅的区域。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]用于制造半导体装置的方法-CN201710352132.4有效
发明人：山崎舜平;佐佐木俊成;羽持贵士;宫本敏行;野村昌史;肥塚纯一;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造半导体装置的方法，提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。
用于制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置-CN202110965455.7在审
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480064849.3有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202080013106.9在审
发明人： 羽持贵士;冈崎健一;井户尻悟;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：形成包含金属氧化物的半导体层的工序；在半导体层上形成在半导体层上彼此分开的第一导电层及第二导电层的工序；对露出半导体层的区域使用包含氧化性气体及还原性气体的混合气体进行等离子体处理的工序；在半导体层上、第一导电层上及第二导电层上形成第一绝缘层的工序；以及在第一绝缘层上形成第二绝缘层的工序。利用使用混合气体的等离子体增强化学气相沉积法形成第一绝缘层，该混合气体包含含硅的气体、氧化性气体及氨气体。此外，在等离子体处理后以不暴露于大气的方式连续形成第一绝缘层。
半导体装置制造方法

[发明专利]金属氧化物膜以及半导体装置-CN202110187768.4在审
发明人：保坂泰靖;生内俊光;岛行德;神长正美;黑崎大辅;羽持贵士;肥塚纯一;冈崎健一;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。
金属氧化物以及半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710606836.X有效
发明人：宫本敏行;野村昌史;羽持贵士;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、以及该半导体装置的制造方法。具体地，提供一种可防止由静电放电损伤引起的产率下降的高可靠性的半导体装置。该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层。第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低。第二栅极绝缘层含有氮且具有比第一栅极绝缘层低的氢浓度。
半导体装置

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