[实用新型]半导体装置

说明书

主张国内优先权 

本申请主张2012年9月14日提交的美国临时申请No. 61/701,366的权益，该美国临时申请通过参引的方式并入本文。

相关申请的交叉引用 

本申请涉及序列号(TBD)、代理人卷号为2515.0408、名称为“Semiconductor Device and Method of Forming Dual-Sided Interconnect Structures in Fo-WLCSP”的美国专利申请。本申请还涉及序列号(TBD)、代理人卷号为2515.0427、名称为“Semiconductor Device and Method of Forming Dual-Sided Interconnect Structures in Fo-WLCSP”的美国专利申请。

技术领域

本发明总的涉及半导体装置，并且更具体地，涉及在载体上形成累积式（build-up）互连结构以用于中间阶段的测试的半导体装置和方法。 

背景技术

半导体装置常用于现代的电子产品。半导体装置在电子部件的数量和密度上不同。离散型半导体装置通常含有一种类型的电子部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成式半导体装置一般含有数百个至数百万个电子部件。集成式半导体装置的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合装置(CCD)、太阳能电池、以及数字微镜装置(DMD)。 

半导体装置执行广泛的功能，例如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子装置、将太阳光转化成电力、以及产生用于电视显示的视觉投影。半导体装置在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机和消费产品等领域中使用。半导体装置也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中使用。 

半导体装置利用半导体材料的电子特性。半导体材料的结构允许通过施加电场或基电流或通过掺杂处理来操控其导电性。掺杂将杂质引入到半导体材料中，以操控和控制半导体装置的导电性。 

半导体装置包含有源电子结构和无源电子结构。包括双极晶体管和场效应晶体管的有源结构控制电流的流动。通过改变掺杂水平以及对电场或基极电流的施加水平，晶体管或促进或限制电流的流动。包括电阻器、电容器和电感器的无源结构形成执行多种电子功能所需的电压和电流之间的关系。有源结构和无源结构电性连接以形成电路，所述电路使得半导体装置能够执行高速操作和其它有用的功能。 

半导体装置通常使用两个复合制造工艺来制造，即前端制造和后端制造，前端制造和后端制造各自可能涉及数百个步骤。前端制造涉及在半导体晶圆的表面上形成多个小片。每个半导体小片一般是相同的并且包含通过将有源部件与无源部件电性连接而形成的电路。后端制造涉及从完成的晶圆上分割出各个半导体小片并且对小片进行封装以提供结构支承支承和环境隔离。如在本文中使用的术语“半导体小片”指的是词语的单数和复数两种形式，因而据此可指的是单个半导体装置和多个半导体装置两者。 

半导体制造的一个目标是生产较小的半导体装置。较小的装置一般消耗较少的电力，具有较高的性能，并且可更有效地生产。此外，较小的半导体装置具有较小的占位面积，这对于较小的终端产品是理想的。较小的半导体小片尺寸可通过对前端工艺的改进来实现，从而产生具有较小、较高密度的有源器件和无源部件的半导体小片。后端工艺可通过电性互连和封装材料方面的改进而产生具有较小占位面积的半导体装置封装件。 

在安装在半导体封装件(例如，扇出型晶圆级芯片规模封装件(Fo-WLCSP))中之前，可测试半导体小片为已知良好小片(KGD)。半导体封装件仍可能由于累积式互连结构中的缺陷而失败，导致KGD的损失。具有细小的行间距和多层结构的大于10乘10毫米(mm)的半导体封装件尺寸特别容易具有累积式互连结构中的缺陷。较大尺寸的Fo-WLCSP也经受翘曲缺陷。 

发明内容