[实用新型]半导体封装机构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装件，特别涉及一种半导体封装机构。

背景技术

半导体封装中的引线键合，就是用非常细小的线把芯片上焊盘和基板连接起来，但现有的键合铜丝易氧化，电子结构和原子尺寸决定着化学性能；键合接口结合力不够强壮，可靠性不稳定。同时半导体封装机构散热效果欠佳，容易导致芯片模块烧坏受损，另外半导体上的元器件之间连接不牢固，且容置率低。因此，大大影响了半导体的性能及生产效率。

发明内容

本实用新型的目的就在于提供一种半导体封装机构，能完全解决上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是这样的：本实用新型的半导体封装机构，包括半导体基板及与半导体基板连接的芯片模块，芯片模块内置有散热丝，半导体基板上分别设有薄金层、结合焊盘、容置单元及镀钯键合铜丝，半导体基板、芯片模块、薄金层、结合焊盘、容置单元及镀钯键合铜丝之间均采用导电粘胶连接。

作为优选，所述镀钯键合铜丝为铜芯线或铜合金芯线。

作为优选，所述镀钯键合铜丝的钯层厚度为0.1微米至0.4微米。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：这种半导体封装机构不容易产生氧化，可有效进行键合，同时提高了接口强度，便于定位连接，能对元件进行保护，避免受损，且散热性能良好，导电性能有所增强，封装严密。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。

参见图1，本实用新型的半导体封装机构，包括半导体基板1及与半导体基板1连接的芯片模块2，芯片模块2内置有散热丝，半导体基板1上分别设有薄金层3、结合焊盘4、容置单元5及镀钯键合铜丝6，半导体基板1、芯片模块2、薄金层3、结合焊盘4、容置单元5及镀钯键合铜丝6之间均采用导电粘胶连接，所述镀钯键合铜丝6为铜芯线或铜合金芯线，所述镀钯键合铜丝6的钯层厚度为0.1微米至0.4微米。

这种半导体封装机构不容易产生氧化，可有效进行键合，同时提高了接口强度，便于定位连接，能对元件进行保护，避免受损，且散热性能良好，导电性能有所增强，封装严密。芯片模块2内置有散热丝，使其芯片模块2不易因为温度过高而被损坏；薄金层3的设计使其元器件与芯片模块2之间能更好的进行结合；镀钯键合铜丝6为铜芯线或铜合金芯线，镀钯键合铜丝6的钯层厚度为0.1微米至0.4微米，设计合理。