[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法

说明书

本申请是申请号为的分案申请，母案申请号为200980148632.X，申请日为2009年11月27日，发明名称为半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法。 

技术领域

本发明涉及半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板和半导体基板的制造方法。另外，本申请是2008年(平成20年)度经济产业省“关于战略性技术开发委托费(纳米电子学半导体新材料·新构造技术开发-其中新材料·新构造纳米电子设备<(4)III-V MISFET/III-V-On-Insulator(III-V-OI)MISFET形成工艺技术的研究开发-其中集成化构造的特性评价和设计因子的技术开发>的委托研究”，适用于产业技术力强化法第19条的专利申请。 

背景技术

近几年，开发了在活性区域使用GaAs等的化合物半导体的各种高功能电子设备。比如，将化合物半导体用于沟道层的MIS型场效应型晶体管(metal-Insulator-semiconductor field-effect transistor。以下，有时称为MISFET。)，被期望适合作为高频动作及大功率动作的开关设备。在将化合物半导体使用于沟道层的MISFET中，降低化合物半导体和绝缘性材料的界面上形成的界面能级变得重要。比如，非专利文献1，明确公开了通过用硫化物处理化合物半导体表面，能降低由上述界面形成的界面能级的技术。 

【在先技术文献】 

(非专利文献1)S.Arabasz，et al.著，Vac.80卷(2006年)，第888页。 

【发明的概要】 

【发明打算解决的课题】 

如上所述，在化合物半导体MISFET的实用化中，以降低上述界面能级为课题已得到认识。可是，给上述界面能级带来影响的因子尚不明确。 

发明内容

为了解决上述课题，在本发明的第1形态中，提供一种半导体装置，具备：3-5族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；绝缘性材料，其接触于所述3-5族化合物半导体的(111)面、与(111)面等效的面，或具有从(111)面或与(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；以及MIS型电极，其接触于绝缘性材料且含有金属传导性材料。绝缘性材料，可以接触于3-5族化合物半导体的(111)A面、与(111)A面等效的面、或具有从(111)A面或与(111)A面等效的面倾斜的倾斜角的面。半导体装置，比如，还具有从由Si基板、SOI基板和GOI基板构成的组中选择的基体基板，3-5族化合物半导被配置于基体基板的一部分。 

半导体装置，比如，还具有3-5族化合物半导体、绝缘性材料、MIS型电极、及，有与3-5族化合物半导体电连接的一对输入输出电极的MIS型场效应型晶体管。MIS型场效应型晶体管的沟道层可以包含In_zGa_1-zAs_z′Sb_1-z′(式中，0≤z≤1，0≤z′≤1)，或In_xGa_1-xAs_yP_1-y(式中，0≤x≤1，0≤y≤1)。 

绝缘性材料，比如，含从Al₂O₃、Ga₂O₃、La₂O₃、AlN、GaN、SiO₂、ZrO₂、HfO₂、Hf_xSi_1-xO_y(式中，0≤x≤1，1≤y≤2)、Hf_xAl_2-xO_y(式中，0≤x≤2，1≤y≤3)、Hf_x′Si_1-x′O_y′N_2-y′(式中，0≤x′≤1，1≤y′≤2)及Ga_2-x″Gd_x″O₃(式中，0≤x″≤2)构成的组中选择的至少1种，或，它们的层叠体。同时，绝缘性材料，比如包含：含Al并具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体，或，含Al并具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体的氧化物。金属传导性材料，比如，至少包含从TaC、TaN、TiN、Ti、Au、W、Pt及Pd构成的组中选择出的1种。