[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备，

3-5族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；

绝缘性材料，其接触于所述3-5族化合物半导体的(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；以及

MIS型电极，其接触于所述绝缘性材料且含有金属传导性材料；

所述绝缘性材料包含：含Al且具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体，或含Al且具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体的氧化物。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述金属传导性材料，包含从由TaC、TaN、TiN、Ti、Au、W、Pt及Pd构成的组中选择的至少1种。

3.一种半导体装置，具备，

3-5族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；

绝缘性材料，其接触于所述3-5族化合物半导体的(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；

MIS型电极，其接触于所述绝缘性材料且含有金属传导性材料；

从由Si基板、SOI基板和GOI基板构成的组中选择的基体基板；以及

所述3-5族化合物半导体配置于所述基体基板的一部分。

4.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

准备具有闪锌矿型的结晶结构，且具有(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面的3-5族化合物半导体的步骤；

形成绝缘性材料的步骤，所述绝缘性材料接触于所述(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；

形成MIS型电极的步骤，所述MIS型电极接触于所述绝缘性材料，且由金属传导性材料形成；以及

形成与所述3-5族化合物半导体电连接的输入输出电极的步骤；

形成所述MIS型电极的步骤，是在形成所述输入输出电极的步骤之前实施的。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，

所述绝缘性材料，是通过含还原性材料的气体环境中的ALD法或MOCVD法形成而获得的。

6.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

准备具有闪锌矿型的结晶结构，且具有(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面的3-5族化合物半导体的步骤；

形成绝缘性材料的步骤，所述绝缘性材料接触于所述(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；

形成MIS型电极的步骤，所述MIS型电极接触于所述绝缘性材料，且由金属传导性材料形成；

形成与所述3-5族化合物半导体电连接的输入输出电极的步骤；

形成所述输入输出电极的步骤是在形成所述绝缘性材料的步骤之前实施的。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

所述绝缘性材料，是通过含还原性材料的气体环境中的ALD法或MOCVD法形成而获得的。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

形成了所述绝缘性材料之后，还具有在真空或含有氢的气体环境中进行退火的步骤。

9.一种半导体装置的制造方法，其中，包括以下步骤：

准备具有闪锌矿型的结晶结构，且具有(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面的3-5族化合物半导体的步骤；

形成绝缘性材料的步骤，所述绝缘性材料接触于所述(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；

形成MIS型电极的步骤，所述MIS型电极接触于所述绝缘性材料，且由金属传导性材料形成；

准备所述3-5族化合物半导体的步骤包括：

准备Si基板、SOI基板和GOI基板中的任意1种基板的步骤；以及

在所述基板的一部分形成所述3-5族化合物半导体的步骤。