[发明专利]提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构及其工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及半导体封装技术领域，具体是指一种提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构及其工艺方法。

背景技术

现代社会中，随着半导体工艺的不断发展和电子工业的不断进度，越来越多的电子设备依赖于集成电路技术，而其中锂电池的广泛使用使得移动设备得到了前所未有的普及应用。

在现有技术中，请参阅图1所示，其为传统的锂电池保护芯片封装结构，是将锂电池保护芯片堆叠于基板的顶面，封胶体将所述基板、锂电池保护芯片封装于其内。

然而，现在锂电池的容量越来越大，输出电流从以前的500mA快速增加到3A，带来的后果是芯片产生的热量急剧增大，封装结构热阻较大，引起内部锂电池保护芯片的温度很高，不仅影响锂电池保护芯片的可靠性和使用寿命，而且芯片保护精度急剧降低，不能满足锂电池热量大型化的发展趋势。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种能够有效减少热阻、封装结构简单实用、制造过程快捷方便、工作性能稳定可靠、适用范围较为广泛的提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构及其工艺方法。

为了实现上述的目的，本发明的提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构及其工艺方法如下：

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构，包括基板、芯片和封装材料，其主要特点是，所述的芯片固定设置于所述基板上表面，所述的基板的下表面固定设置有基板散热部件，所述的封装材料包覆所述的芯片、基板和基板散热部件，且该基板散热部件的一部分暴露设置于该封装材料的外部。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构中的基板散热部件为基板散热片，且该基板散热片贴合设置于所述的基板的下表面。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构中的封装材料为封胶体。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构中的封胶体将所述的基板散热部件呈半包围方式包覆设置。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装工艺方法，其主要特点是，所述的方法包括以下步骤：

（1）将芯片固定设置于一基板的上表面；

（2）将一基板散热部件设置于该基板的下表面；

（3）使用封装材料包覆所述的芯片、基板和基板散热部件，且使得基板散热部件的一部分暴露设置于该封装材料的外部。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装工艺方法中的基板散热部件为基板散热片。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装工艺方法中的将基板散热部件设置于该基板的下表面，具体为：

将所述的基板散热片贴合设置于所述的基板的下表面。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装工艺方法中的封装材料为封胶体。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装工艺方法中的封胶体将所述的基板散热部件以半包围方式进行包覆设置。

采用了该发明的提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构及其工艺方法，由于其通过将基板散热片和基板相连，并暴露出封胶体外，从而大大增加了封装的散热面积，减小了封装热阻，降低了内部芯片的温度，提高了锂电池保护芯片的精度，同时封装结构简单实用，制造过程快捷方便，工作性能稳定可靠，适用范围较为广泛。

附图说明

图1为现有技术中的锂电池保护芯片封装结构剖视示意图。

图2为本发明的提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构的剖视示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。

请参阅图2所示，该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构100，包括基板20、芯片30和封装材料10，其中，所述的芯片30固定设置于所述基板20上表面，所述的基板20的下表面固定设置有基板散热部件40，所述的封装材料10包覆所述的芯片30、基板20和基板散热部件40，且该基板散热部件40的一部分暴露设置于该封装材料10的外部。

其中，该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装结构100中的基板散热部件40为基板散热片40，且该基板散热片40贴合设置于所述的基板20的下表面；所述的封装材料10为封胶体10，且该封胶体10将所述的基板散热部件40呈半包围方式包覆设置。

该提高锂电池保护芯片精度的芯片封装工艺方法，其中包括以下步骤：

（1）将芯片30固定设置于一基板20的上表面；

（2）将一基板散热部件40设置于该基板20的下表面；该基板散热部件40为基板散热片40，所述的将基板散热部件40设置于该基板20的下表面，具体为：