[发明专利]积层复合体、半导体元件承载基板、半导体元件形成晶片、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种密封材料积层复合体，其特征在于，用于总括密封承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面、或形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面；并且，包括支持晶片、及由被形成于该支持晶片的一面上的未固化的热固化性树脂所构成的未固化树脂层。

2.如权利要求1所述的密封材料积层复合体，其中，前述支持晶片，与前述承载有半导体元件的基板或前述形成有半导体元件的晶片的膨胀系数的差为3ppm以下。

3.如权利要求1所述的密封材料积层复合体，其中，前述未固化树脂层的厚度为20微米以上且2000微米以下。

4.如权利要求2所述的密封材料积层复合体，其中，前述未固化树脂层的厚度为20微米以上且2000微米以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的密封材料积层复合体，其中，前述未固化树脂层，包含在不足50℃下固体化并在50℃以上且150℃以下溶融的环氧树脂、硅酮树脂、及环氧硅酮混成树脂中的任一种。

6.如权利要求1至4中任一项所述的密封材料积层复合体，其中，前述支持晶片，是将热固化性树脂组合物含浸于纤维基材中，并将该热固化性树脂组合物半固化或固化而成的树脂含浸纤维基材；前述未固化树脂层，是由在前述树脂含浸纤维基材的一面上以超过200μm且2000μm以下的厚度而形成的未固化的热固化性树脂组合物所构成；含浸于前述纤维基材中的热固化性树脂组合物、及形成前述未固化树脂层的热固化性树脂组合物的至少一者，含有离子捕集剂。

7.如权利要求5所述的密封材料积层复合体，其中，前述支持晶片，是将热固化性树脂组合物含浸于纤维基材中，并将该热固化性树脂组合物半固化或固化而成的树脂含浸纤维基材；前述未固化树脂层，是由在前述树脂含浸纤维基材的一面上以超过200μm且2000μm以下的厚度而形成的未固化的热固化性树脂组合物所构成；含浸于前述纤维基材中的热固化性树脂组合物、及形成前述未固化树脂层的热固化性树脂组合物的至少一者，含有离子捕集剂。

8.如权利要求6所述的密封材料积层复合体，其中，含浸于前述纤维基材中的热固化性树脂组合物、及形成前述未固化树脂层的热固化性树脂组合物两者，含有前述离子捕集剂。

9.如权利要求7所述的密封材料积层复合体，其中，含浸于前述纤维基材中的热固化性树脂组合物、及形成前述未固化树脂层的热固化性树脂组合物两者，含有前述离子捕集剂。

10.一种密封后半导体元件承载基板，其特征在于，

利用权利要求1至4中任一项所述的密封材料积层复合体的未固化树脂层，来被覆已承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面，并通过加热、固化该未固化树脂层，从而利用前述密封材料积层复合体而被总括密封。

11.一种密封后半导体元件承载基板，其特征在于，

利用权利要求5所述的密封材料积层复合体的未固化树脂层，来被覆已承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面，并通过加热、固化该未固化树脂层，从而利用前述密封材料积层复合体而被总括密封。

12.一种密封后半导体元件承载基板，其特征在于，

利用权利要求6所述的密封材料积层复合体的未固化树脂层，来被覆已承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面，并通过加热、固化该未固化树脂层，从而利用前述密封材料积层复合体而被总括密封。

13.一种密封后半导体元件承载基板，其特征在于，

利用权利要求7至9中任一项所述的密封材料积层复合体的未固化树脂层，来被覆已承载有半导体元件的基板的半导体元件承载面，并通过加热、固化该未固化树脂层，从而利用前述密封材料积层复合体而被总括密封。

14.一种密封后半导体元件形成晶片，其特征在于，

利用权利要求1至4中任一项所述的密封材料积层复合体的未固化树脂层，来被覆形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面，并通过加热、固化该未固化树脂层，从而利用前述密封材料积层复合体而被总括密封。

15.一种密封后半导体元件形成晶片，其特征在于，

利用权利要求5所述的密封材料积层复合体的未固化树脂层，来被覆形成有半导体元件的晶片的半导体元件形成面，并通过加热、固化该未固化树脂层，从而利用前述密封材料积层复合体而被总括密封。