[发明专利]具有凝聚端子的半导体封装体

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

塑料封装体，在其中半导体芯片被粘性附连到具有凝聚结构的金属条带，并且被电气连接到具有粒子结构的可键合且可焊接金属条带。

2.根据权利要求1所述的器件，其中凝聚金属条带是用相同金属的纳米粒子烧结的金属微米粒子固态层。

3.根据权利要求2所述的器件，其中凝聚金属从由铜、银、锌、镍、铟、镉、钴、铑、高温焊料和金属填充的粘合剂组成的群组中选择。

4.根据权利要求2所述的器件，其中所述可键合且可焊接金属条带是烧结后的纳米粒子的固态层。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述可键合且可焊接金属从由银、金、镍和钯组成的群组中选择。

6.根据权利要求4所述的器件，其中所述粒子结构的可键合且可焊接金属条带接触凝聚结构的金属条带，使得它们形成具有凝聚金属结构条带的垂直堆叠。

7.根据权利要求6所述的器件，进一步包括被焊接到凝聚金属条带的焊料涂层。

8.一种半导体器件，其包括：

长方形的塑料封装体，所述封装体的一侧具有环绕第二端子的第一端子，所述第一端子和所述第二端子被间隙隔开；

所述第一端子，其包括具有凝聚结构的固态铜条带、被焊接到混合有银的焊料涂层的外部表面以及接触具有粒子结构的银层的内部表面；以及

所述第二端子，其包括具有凝聚结构的铜层、被焊接到混合有银的焊料涂层的外部表面以及半导体芯片粘性附连的内部表面。

9.根据权利要求8所述的器件，进一步包括：将所述半导体芯片键合到所述第一端子的烧结后的银纳米粒子的层的引线；以及包封芯片和引线并且填充第一和第二端子之间的间隙的聚合物。

10.一种用于制造半导体器件的方法，其包括：

在载体条带上形成第一层烧结后的可键合且可焊接金属，所述第一层被图形化成第一焊盘和第二焊盘，一组第一焊盘环绕每个第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘被间隙隔开；以及

在所述第一焊盘和所述第二焊盘的第一层烧结后的可键合且可焊接金属上垂直形成图形化的凝聚金属层；以及

在所述第一焊盘的凝聚金属层上垂直形成第二层烧结后的可键合且可焊接金属。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

将半导体芯片粘性附连到每个第二焊盘的凝聚金属层上，所述芯片具有端子；

使键合引线跨越所述间隙，从每个芯片的端子到相应的一组第一焊盘的第二层可键合且可焊接金属；

将芯片和引线包封在聚合物中，并且同时由化合物填充所述间隙，接着硬化所述化合物；以及

将所述载体条带与第一和第二焊盘的第一层以及在所述焊盘之间的间隙中的硬化的化合物分离，由此暴露组装芯片的硬化板的表面。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括，在分离步骤后，进行以下步骤：用焊料合金涂覆所述第一和第二焊盘的暴露的第一层，接着回流所述焊料合金，由此将所述第一层的可焊接金属溶解在所述焊料合金中，并且使合金与凝聚金属层交联。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：切割硬化板，从而单片化具有相应的一组环绕的第一焊盘的每个第二焊盘，作为包封好的半导体器件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述可键合且可焊接金属从包括银、金、镍和钯的群组中选择；并且所述凝聚金属从包括铜、银、锌、镍、铟、镉、钴、铑、高温焊料以及金属填充的粘合剂的群组中选择。

15.根据权利要求10所述的方法，其中形成烧结后的可键合且可焊接金属的第一层包括以下步骤：

在载体条带上淀积包括可键合且可焊接金属的纳米粒子的焊膏，所淀积的焊膏被图形化成第一焊盘和第二焊盘，一组第一焊盘环绕每个第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘被间隙隔开；以及

烧结纳米粒子，以生成可键合且可焊接金属的固态层的焊盘。