[发明专利]半导体基板及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，具有：基底基板、第1绝缘体层、以及半导体层，

所述基底基板、所述第1绝缘体层以及所述半导体层按照所述基底基板、所述第1绝缘体层、所述半导体层的顺序排位，

所述第1绝缘体层由非晶状金属氧化物或非晶状金属氮化物构成，

所述半导体层包含第1结晶层以及第2结晶层，

所述第1结晶层以及所述第2结晶层从所述基底基板之侧起，按照所述第1结晶层、所述第2结晶层的顺序排位，

所述第1结晶层的电子亲和力E_a1大于所述第2结晶层的电子亲和力E_a2。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，

所述半导体层还包含第3结晶层，

所述第1结晶层、所述第2结晶层以及所述第3结晶层从所述基底基板之侧起，按照所述第3结晶层、所述第1结晶层、所述第2结晶层的顺序排位，

所述第3结晶层的电子亲和力E_a3小于所述第1结晶层的电子亲和力E_a1。

3.根据权利要求2所述的半导体基板，其中，

所述第1结晶层由In_x1Ga_1-x1As构成，0＜x1≤1，

所述第2结晶层由In_x2Ga_1-x2As构成，0≤x2＜1，

所述第3结晶层由In_x3Ga_1-x3As构成，0≤x3＜1，

并满足x1＞x2、且x1＞x3的关系。

4.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，

所述半导体层的厚度为20nm以下。

5.一种场效应晶体管，具有权利要求1所述的半导体基板，其中，

所述场效应晶体管具备与所述半导体层电连接的源极电极以及漏极电极。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中，

所述半导体层具有与所述源极电极接触的源极区域或与所述漏极电极接触的漏极区域，

所述源极区域或所述漏极区域包含从构成所述半导体层的III族原子以及V族原子所组成的群中选出的至少1种原子与金属原子的合金。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，

所述金属原子是镍原子。

8.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，

在所述半导体层的与所述基底基板相反的一侧具有栅极电极，

所述源极区域的位于所述漏极区域侧的界面以及所述漏极区域的位于所述源极区域侧的界面形成于栅极电极下区域，该栅极电极下区域是被夹在所述栅极电极和所述基底基板之间的所述半导体层的区域。

9.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，

所述场效应晶体管是n沟道型场效应晶体管，

所述源极区域或所述漏极区域还包含施主杂质原子。

10.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，

所述场效应晶体管是p沟道型场效应晶体管，

所述源极区域或所述漏极区域还包含受主杂质原子。

11.一种半导体基板的制造方法，包括：

半导体层形成步骤，在半导体层形成基板上通过外延结晶生长法形成半导体层；

第1绝缘体层形成步骤，在所述半导体层上通过原子层沉积法使第1绝缘体层成膜；

接合步骤，在所述第1绝缘体层上接合基底基板；和

去除步骤，去除所述半导体层形成基板，

所述半导体层形成步骤具有：第1步骤，在所述半导体层形成基板上通过外延结晶生长法形成第2结晶层；以及第2步骤，在所述第1步骤之后，在所述第2结晶层上通过外延结晶生长法形成具有比所述第2结晶层的电子亲和力E_a2大的电子亲和力E_a1的第1结晶层。

12.根据权利要求11所述的半导体基板的制造方法，其中，

所述半导体层形成步骤在所述第2步骤之后，还具有：第3步骤，在所述第1结晶层上通过外延结晶生长法形成具有比所述第1结晶层的电子亲和力E_a1小的电子亲和力E_a3的第3结晶层。