[发明专利]伪FinFET结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源FinFET，位于衬底上方，其中，所述有源FinFET包括一个或多个有源半导体鳍状件，所述有源FinFET具有四个面；

第一伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第一伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第一伪FinFET与所述有源FinFET的第一面横向相邻；

第二伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第二伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第二伪FinFET与所述有源FinFET的第二面横向相邻；

第三伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第三伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第三伪FinFET与所述有源FinFET的第三面横向相邻；以及

第四伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第四伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第四伪FinFET与所述有源FinFET的第四面横向相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源半导体鳍状件平行于伪半导体鳍状件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源半导体鳍状件垂直于伪半导体鳍状件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一有源半导体鳍状件，具有第一宽度；

第二有源半导体鳍状件，所述第二有源半导体鳍状件与所述第一有源半导体鳍状件横向间隔开第一间隔；以及

第二间隔，包括所述第一宽度和所述第一间隔，其中，所述有源FinFET与所述第一伪FinFET、所述第二伪FinFET、所述第三伪FinFET和所述第四伪FinFET横向间隔开第三间隔，所述第三间隔是所述第二间隔的十分之一至所述第二间隔的五倍。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一伪FinFET的伪半导体鳍状件垂直于所述第二伪FinFET的伪半导体鳍状件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源FinFET进一步包括位于所述有源半导体鳍状件上方的栅极结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一伪FinFET进一步包括位于伪有源鳍状件上方的伪栅极结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源半导体鳍状件具有与伪半导体鳍状件相同的宽度和相同的长度。

9.一种Fin FET器件，包括：

第一FinFET，位于衬底上方，所述第一FinFET包括多个第一半导体鳍状件，所述第一FinFET与有源器件电连接；以及

第二FinFET，位于所述衬底上方，所述第二FinFET包括多个第二半导体鳍状件，所述多个第二半导体鳍状件垂直于所述多个第一半导体鳍状件，并且所述第二FinFET与全部有源器件电隔离。

10.一种形成FinFET器件的方法，所述方法包括：

在所述衬底上方形成多个有源半导体鳍状件；以及

在形成所述多个有源半导体鳍状件的同时，在所述衬底上方形成多个伪半导体鳍状件，所述多个伪半导体鳍状件包括：

形成第一组伪半导体鳍状件，其中，所述第一组与所述多个有源半导体鳍状件的第一面横向相邻；

形成第二组伪半导体鳍状件，其中，所述第二组与所述多个有源半导体鳍状件的第二面横向相邻；

形成第三组伪半导体鳍状件，其中，所述第三组与所述多个有源半导体鳍状件的第三面横向相邻；和

形成第四组伪半导体鳍状件，其中，所述第四组与所述多个有源半导体鳍状件的第四面横向相邻。