[发明专利]半导体晶圆的载体接合及分离的工艺

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体元件的工艺，特别的是，关于工艺中半导体晶圆的处理(Handling)及输送(Transport)。

背景技术

在工艺中间状态的半导体晶圆从一个工作站移到另一个工作站时必须非常小心的处理，以防止该晶圆受到损坏。通常，晶圆吸附器(Wafer Chuck)安装在晶圆或载体的表面。然而，此种方式会损坏晶圆，尤其是该吸附器从该晶圆拆卸下来时。由于减少该半导体晶圆厚度的努力一直在持续中，改良的半导体晶圆的处理及输送技术将会变得越来越重要。

发明内容

本揭露一方面关于一种处理半导体晶圆的方法。在一实施例中，该处理半导体晶圆的方法包括：附着一载体至该半导体晶圆；将该半导体晶圆分成一内部及一外部，该载体从该内部移除所需的拉力实质上小于从该外部移除所需的拉力；及从该半导体晶圆的内部移除该载体。将该半导体晶圆分成该内部及该外部的步骤可以经由利用一刀具或一激光切割该半导体晶圆以形成该内部及该外部来实现。在一实施例中，该处理半导体晶圆的方法包括黏附该载体至该半导体晶圆的一主动面，其中一黏胶黏接该半导体晶圆的该主动面至一位于该载体表面的隔离涂层及不具有该隔离涂层的该载体表面的一部分。为了使该内部更容易分离，该半导体晶圆的该主动面与该隔离涂层之间的黏着力大致上小于该半导体晶圆与不具有该隔离涂层的该载体表面的部分之间的黏着力。

该方法特别适合于使用硅穿孔(Through Silicon Via，TSV)技术的半导体晶圆。在一实施例中，该处理半导体晶圆的方法更包括：在附着该载体至该半导体晶圆的主动面之后，移除该半导体晶圆的一非主动面的一部分以显露位于该半导体晶圆内的至少一导电柱的一末端；以一保护层覆盖该显露的末端；及薄化该保护层以使得该末端突出于该保护层之外。为了更固定该晶圆，该方法更包括：附着该半导体晶圆的一非主动面至一切割胶带的一第一表面。

本揭露另一方面关于一种处理半导体晶圆的方法，其包括利用一第一黏胶以附着一载体至该半导体晶圆的一主动面，使得该第一黏胶位于该半导体晶圆的主动面及一位于该载体的一表面的一隔离涂层，及一位于不具有该隔离涂层的该载体表面的一部分的第二黏胶之间；溶解该第二黏胶；及从该半导体晶圆移除该载体。

本揭露另一方面关于一种处理半导体晶圆的方法，其包括利用一第一黏胶以附着一第一载体至该半导体晶圆的一主动面，使得该第一载体包含一位于该第一载体及该第一黏胶之间的第一隔离涂层，其中该第一隔离涂层的面积小于该第一黏胶；形成一第二黏胶于该半导体晶圆的一非主动面；形成一第二载体于该第二黏胶上，其中该第二载体为一高分子聚合物层；及从该半导体晶圆分离该第一载体及该第一隔离涂层。

附图说明

图1至图14显示本发明一实施例的暂时载体接合及分离的工艺；

图15至图18显示本发明另一实施例的暂时载体接合及分离的工艺；

图19至图24显示本发明另一实施例的暂时载体接合及分离的工艺；

图25至图29显示本发明另一实施例的暂时载体接合及分离的工艺；及

图30至图32显示本发明另一实施例的暂时载体接合及分离的工艺。

具体实施方式

参考图1，显示本发明一实施例中准备被处理(Handling)及输送(Transportation)的半导体晶圆20(以剖视图呈现)。该半导体晶圆20具有一第一表面201、一第二表面202及数个导电柱(Conductive Pillars)207。该半导体晶圆20可由硅(Silicon)、锗(Germanium)、砷化镓(Gallium Arsenide)等所制成，且该等导电柱207由适当导电金属，例如铜，所制成。在本实施例中，该半导体晶圆20包含一集成电路203位于该第一表面201及该等导电柱207(如图所示)，因此该第一表面201被定义为一主动面(Active Surface)，且该第二表面202被定义为一非主动面(Inactive Surface)。然而，可以理解的是，该半导体晶圆20也可以是一中介基板(Interposer)，其仅具有该等导电柱207。为了避免将导电金属直接置于半导体材料中，一绝缘材料208，例如非导电高分子材料(包含聚亚酰胺(Polymide，PI)、环氧树脂(Epoxy)或苯环丁烯(Benzocyclobutene，BCB))或无机材料(例如二氧化硅(SiO₂))，形成于该半导体材料及该等导电柱207之间。