[发明专利]半导体晶圆的载体接合及分离的工艺

权利要求书

1.一种处理半导体晶圆的方法，包括：

附着一载体至该半导体晶圆；

将该半导体晶圆分成一内部及一外部，该载体从该内部移除所需的拉力实质上小于从该外部移除所需的拉力；及

从该半导体晶圆的内部移除该载体。

2.如权利要求1的方法，其中将该半导体晶圆分成该内部及该外部的步骤包含利用一刀具或一激光切割该半导体晶圆以形成该内部及该外部。

3.如权利要求1的方法，其中将该半导体晶圆分成该内部及该外部的步骤显露出一隔离涂层，其位于该载体的一表面。

4.如权利要求1的方法，其中从该半导体晶圆的内部移除该载体的步骤包含施加一拉力至该载体。

5.如权利要求1的方法，其中该载体包含一隔离涂层，位于其一表面。

6.如权利要求5的方法，其中该隔离涂层为一疏水性涂层。

7.如权利要求1的方法，其中附着该载体至该半导体晶圆的步骤包含黏附该载体至该半导体晶圆的一主动面，其中一黏胶黏接该半导体晶圆的该主动面至位于该载体表面的一隔离涂层及不具有该隔离涂层的该载体表面的一部分。

8.如权利要求7的方法，其中该半导体晶圆的该主动面与该隔离涂层之间的黏着力实质上小于该半导体晶圆与不具有该隔离涂层的该载体表面的该部分之间的黏着力。

9.如权利要求8的方法，更包括：

附着该半导体晶圆的一非主动面至一切割胶带的一第一表面；

形成一覆盖层于该切割胶带的一第二表面上，其中该覆盖层对应该半导体晶圆的内部；及

利用一紫外光照射该切割胶带的第二表面，其中位于该覆盖层之外的该切割胶带的该第二表面的黏性变弱。

10.如权利要求7的方法，更包括一从该半导体晶圆移除该黏胶的步骤。

11.如权利要求1的方法，其中在附着该载体至该半导体晶圆之后更包括：

移除该半导体晶圆的一非主动面的一部分以显露位于该半导体晶圆内的至少一导电柱的一末端；

以一保护层覆盖该显露的末端；及

薄化该保护层以使得该末端突出于该保护层之外。

12.如权利要求1的方法，其中将该半导体晶圆分成该内部及该外部的步骤包含形成一圆形沟槽以分割该内部及该外部，该圆形沟槽的深度等于该半导体晶圆的厚度、一黏胶的厚度及一尺寸公差的总和。

13.如权利要求12的方法，其中该圆形沟槽与该半导体晶圆的一边缘的一距离大于该隔离涂层与该半导体晶圆的一边缘的一距离。

14.一种处理半导体晶圆的方法，包括：

利用一第一黏胶以附着一载体至该半导体晶圆的一主动面，使得该第一黏胶位于该半导体晶圆的主动面及一位于该载体的一表面的一隔离涂层，及一位于不具有该隔离涂层的该载体表面的一部分的第二黏胶之间；

溶解该第二黏胶；及

从该半导体晶圆移除该载体。

15.如权利要求14的方法，其中该第一黏胶与该第二黏胶实质不同。

16.如权利要求14的方法，其中该隔离涂层为一疏水性涂层。

17.如权利要求14的方法，更包括一利用一第三黏胶以附着一第二载体至该半导体晶圆的一非主动面的步骤。

18.如权利要求17的方法，其中该第三黏胶位于该半导体晶圆的非主动面及一位于该第二载体的一表面的第二隔离涂层，及一位于不具有该第二隔离涂层的该第二载体表面的一部分的第四黏胶。

19.一种处理半导体晶圆的方法，包括：

利用一第一黏胶以附着一第一载体至该半导体晶圆的一主动面，使得该第一载体包含一位于该第一载体及该第一黏胶之间的第一隔离涂层，其中该第一隔离涂层的面积小于该第一黏胶；

形成一第二黏胶于该半导体晶圆的一非主动面；

形成一第二载体于该第二黏胶上，其中该第二载体为一高分子聚合物层；及

从该半导体晶圆分离该第一载体及该第一隔离涂层。

20.如权利要求19的方法，其中附着该载体至该半导体晶圆之后更包括：

移除该半导体晶圆的一非主动面的一部分以显露位于该半导体晶圆内的至少一导电柱的一末端；

以一保护层覆盖该显露的末端；及

薄化该保护层以使得该末端突出于该保护层之外。