[发明专利]半导体封装件的制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件的制法，更详言之，本发明为一种避免光线破坏半导体芯片的半导体封装件的制法。

背景技术

现今，随着科技发展的进步，电子产品的业者纷纷开发出各种不同型态的半导体封装件，目前半导体芯片的尺寸趋于微小化，因此，须不断地改进与克服半导体封装件的工艺技术，以与微小化的半导体芯片配合，并符合现代科技产品轻薄短小的趋势。

请参阅图1A至图1E，其为现有第7202107号美国专利的半导体封装件的制法的剖面示意图。

如图1A所示，提供一承载板10，且该承载板10上设有例如热剥离胶带（Thermal Release Tape）的粘着层11。

如图1B所示，提供多个半导体芯片12粘贴于该粘着层11上。

如图1C所示，形成封装胶体13于该粘着层11上，以包覆该等半导体芯片12。

如图1D所示，加热以移除该承载板10与该粘着层11。

如图1E所示，于该封装胶体13的底面上形成电性连接该半导体芯片12的线路层14。

不过，前述现有的半导体封装件的制法的将半导体芯片粘贴于该热剥离胶带上时，容易因为该热剥离胶带的热膨胀系数与模压时经由模流的冲击而造成该半导体芯片偏移的问题，造成后续制作重布线路层时，因芯片偏移使得部份重布线路层因偏移而没有与芯片电性连接，进而造成产品的信赖度不佳，所以利用该热剥离胶带也将导致制造成本无法降低。

因此，如何克服现有技术的种种问题，实为一重要课题。

发明内容

为解决上述现有技术的种种问题，本发明的主要目的在于揭露一种半导体封装件的制法，可有效避免光线照射至半导体芯片。

本发明的半导体封装件的制法，其包括：提供一承载板上形成离型层及形成于该离型层上的粘着层；于该粘着层上设置多个半导体芯片；形成封装胶体于该粘着层上，以包覆该等半导体芯片；以及从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板。

前述的半导体封装件的制法中，还包括于该离型层和该粘着层之间形成有金属层。

前述的半导体封装件的制法中，于移除该离型层之后，还包括移除该金属层。

前述的半导体封装件的制法中，该金属层的厚度为1微米。

前述的半导体封装件的制法中，还包括移除该粘着层，移除该金属层与粘着层的方式为蚀刻，且该蚀刻为电浆蚀刻。

前述的半导体封装件的制法中，还包括于照射该光线之前，于该封装胶体上设置基板，以令该封装胶体夹置于该基板和该粘着层之间。

前述的半导体封装件的制法中，该粘着层中还分布有多个金属粒子。

前述的半导体封装件的制法中，该承载板的材质为玻璃。

前述的半导体封装件的制法中，该基板的材质为玻璃或硅。

前述的半导体封装件的制法中，该离型层的材质为非晶硅（Amorphous Silicon）或聚对二甲苯基（Parylene）。

前述的半导体封装件的制法中，该光线为激光。

前述的半导体封装件的制法中，还包括移除该基板。

前述的半导体封装件的制法中，还包括于该封装胶体上形成电性连接该半导体芯片的增层结构。

依上所述，本发明的半导体封装件的制法通过照射光线以破坏离型层，进而移除离型层与承载板，并且可再借由金属层或具有多个金属粒子的粘着层来防止光线照射至半导体芯片与封装胶体，而可避免该封装胶体与半导体芯片被光线的能量破坏，达到保护该封装胶体与半导体芯片的效果，故可顺利的进行后续的工艺并增进产品良率。

附图说明

图1A至图1E为显示现有半导体封装件的制法的剖视示意图。

图2A至图2H为本发明的半导体封装件的制法的第一实施例的剖面示意图。

图3为本发明的半导体封装件的制法的第二实施例的剖面示意图。

主要组件符号说明

10、20       承载板

11、23、23’ 粘着层

12、24       半导体芯片

13、25       封装胶体

14           线路层

21           离型层

22           金属层

26           基板

a            光线。

具体实施方式