[发明专利]半导体封装构造

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装构造，特别是有关于一种增加热的均匀传导的半导体封装构造。

背景技术

现今，随着如携带式个人电脑、智慧手机及数码相机等电子装置，微小化、多功能化及高性能化，半导体装置必须设计的更小且功能更多，因而使半导体封装构造(semiconductor package)在许多电子装置的使用上越来越普遍。不过，芯片在运作时容易产生高温，因此其表面需要另外接合一散热片(heat sink)以提高整体散热效率。常见固定散热片于芯片的方法是使用导热胶，然而其接合时导热胶厚度均一性控制不易，及内含的金属导热颗粒的导热性也较纯金属材质差。

为符合高散热需求的半导体封装，近年来开始使用金属导热材料，例如铟(Indium)片，因为铟具有良好的热物性(thermophysical property)，以及绝佳的导热性及延展性，可大幅提升导热效果，因此在具有高阶半导体芯片或堆栈式的半导体芯片的半导体封装构造上，已普遍开始使用铟作为热接合材料。

然而，铟片的成本过高，再者，铟片的平面(X-Y方向)传导与垂直(Z方向)传导的导热系数差异不大，对于提供芯片在整体面积的散热过程中，接近芯片热源的铟片中央表面其热交换会大于远离芯片热源的铟片周边表面，因而产生散热不均匀的现象，进而影响导热及散热的效率。

故，有必要提供一种半导体封装构造，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体封装构造，以解决现有半导体封装构造使用铟片散热而有散热不均匀及成本过高的问题。

本发明的主要目的在于提供一种半导体封装构造，所述半导体封装构造包含有一设置在封装胶体或所述芯片的表面上的石墨烯层，所述石墨烯层具有高的平面性导热系数，有利于均匀导热，不仅增加热的均匀传导，也增进了热交换的面积，进而提高芯片的热导出效能。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种半导体封装构造，其中所述半导体封装构造包含一基板、至少一芯片、一封装胶体，及一石墨烯层，所述基板包含一上表面，所述芯片位于所述基板的上表面并与所述基板电性连接，所述封装胶体至少部分包覆所述芯片，所述石墨烯层设置在所述封装胶体上。

本发明的另一目的在于提供一种半导体封装构造，其中所述半导体封装构造包含有一设置在所述芯片的部分表面上的石墨烯层，通过高导热系数的石墨烯层，使其与所述芯片平面性热传导效率能提高，且成本相对于使用铟(Indium)作为热界面材料能更为降低。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种半导体封装构造，其中所述半导体封装构造包含一基板、至少一芯片、一封装胶体，及一石墨烯层，所述基板包含一上表面，所述芯片位于所述基板的上表面并与所述基板电性连接，所述石墨烯层设置在所述芯片的部分表面上。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是本发明一实施例半导体封装构造的示意图。

图2是本发明又一实施例半导体封装构造的示意图。

图3是本发明另一实施例半导体封装构造的示意图。

图4是本发明再一实施例半导体封装构造的示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「顶」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「周围」、「中央」、「水平」、「横向」、「垂直」、「纵向」、「轴向」、「径向」、「最上层」或「最下层」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

请参照图1所示，其揭示本发明第一实施例的半导体封装构造，在下文中，所述半导体封装构造即直接称为一封装体1。在本实施例中，所述封装体1包含：一基板11、一芯片12、一封装胶体13及一石墨烯层14。本发明将于下文逐一详细说明本实施例上述各元件的细部构造、组装关系及其运作原理。