[发明专利]具有承载晶圆的晶圆组件

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求于2012年4月25日提交的序列号为61/638.209的美国临时专利申请的优先权，其内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明总的来说涉及半导体组件，更具体地，涉及具有承载晶圆的晶圆组件。

背景技术

随着晶圆尺寸的增加，由晶圆重量引起的下垂(sagging)和由膜生长工艺引起的晶圆翘曲是存在挑战的问题。当作为器件制造工艺的一部分在晶圆表面上生长各种膜时，发生晶圆翘曲。在一个实例中，450mm晶圆需要具有1,800μm(1.8mm)的厚度以保持与具有775μm厚度的300mm晶圆相同的晶圆下垂水平。在另一实例中，具有在其上生长或沉积的100nm氮化物膜的450mm晶圆可能需要具有至少1,180μm的厚度来将晶圆翘曲限制为大致与具有775μm厚度的300mm晶圆相同的水平。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种晶圆组件，包括：工艺晶圆，在工艺晶圆上形成集成电路；以及承载晶圆，结合至工艺晶圆，承载晶圆具有至少一个对准标记。

优选地，该晶圆组件进一步包括：结合工艺晶圆和承载晶圆的结合粘合剂层。

优选地，该晶圆组件进一步包括：结合工艺晶圆和承载晶圆的外延层。

优选地，外延层的厚度在100埃到1000埃的范围内。

优选地，工艺晶圆不具有对准标记。

优选地，承载晶圆具有多个对准标记，多个对准标记沿着承载晶圆的圆周等距离分布。

优选地，多个对准标记具有不同的尺寸。

优选地，工艺晶圆的第一厚度小于承载晶圆的第二厚度。

根据本发明的另一方面，提供了一种方法，包括：结合具有集成电路的工艺晶圆和具有至少一个对准标记的承载晶圆，以形成晶圆组件；以及使用承载晶圆的至少一个对准标记对准晶圆组件。

优选地，通过使用位于工艺晶圆和承载晶圆之间的结合粘合剂层来执行结合。

优选地，结合包括：在工艺晶圆的下方或承载晶圆的上方生长外延层；利用位于工艺晶圆和承载晶圆之间的外延层，将工艺晶圆和承载晶圆放置在一起；以及退火。

优选地，外延层的厚度在100埃到1000埃的范围内。

优选地，在300℃到500℃的范围内的温度下执行退火。

优选地，该方法进一步包括：分离工艺晶圆和承载晶圆。

优选地，承载晶圆具有多个对准标记，多个对准标记沿着承载晶圆的圆周等距离分布。

优选地，多个对准标记具有不同的尺寸。

优选地，工艺晶圆的第一厚度小于承载晶圆的第二厚度。

根据本发明的又一方面，提供了一种晶圆组件，包括：工艺晶圆，具有第一厚度且没有对准标记，其中，集成电路形成在工艺晶圆上；以及承载晶圆，具有第二厚度且结合至工艺晶圆，其中，承载晶圆具有多个对准标记，多个对准标记沿着承载晶圆的圆周等距离分布，并且第一厚度小于第二厚度。

优选地，该晶圆组件进一步包括：结合工艺晶圆和承载晶圆的结合粘合剂层。

优选地，该晶圆组件进一步包括：结合工艺晶圆和承载晶圆的外延层，其中，外延层具有100埃到1000埃的范围内的第三厚度。

附图说明

现在结合附图作为参考来进行下面的描述，其中：

图1A是根据一些实施例的具有承载晶圆的示例性晶圆组件的示意图；

图1B是根据一些实施例的图1A中的晶圆组件的工艺晶圆的俯视图；

图1C是根据一些实施例的图1A中的晶圆组件的承载晶圆的俯视图；以及

图2是根据一些实施例的使用图1中的示例性晶圆组件制造的集成电路的示例性方法的流程图。

具体实施方式

下面详细讨论各种实施例的制造和使用。然而，应该理解，本公开提供了许多可以在各种具体环境中具体化的可应用发明概念。所讨论的具体实施例只是制造和使用具体方式说明性的而不限制本公开的范围。