[发明专利]热界面材料及半导体封装结构无效
| 申请号： | 201210288651.6 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102867793A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李炳仁;蔡宗岳;高金利;杨金凤 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;B32B15/04 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 界面 材料 半导体 封装 结构 | ||
1.一种热界面材料，其特征在于：所述热界面材料包含：
一石墨烯层；及
二低熔点金属层，以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。
2.如权利要求1所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的材料为菲尔德合金。
3.如权利要求1所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的熔点介于150℃至230℃。
4.如权利要求1所述的热界面材料，其特征在于：所述石墨烯层的厚度介于45微米至100微米，所述低熔点金属层的厚度介于50微米至250微米。
5.一种具有热界面材料的半导体封装结构，所述半导体封装结构包含一基板、设于所述基板上的一芯片以及设于所述芯片上的一散热片，所述半导体封装结构的特征在于：所述芯片与所述散热片之间包含一热界面材料，所述热界面材料包含：
一石墨烯层；及
二低熔点金属层，以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于：所述基板上另包含一散热环，所述散热环包围所述芯片，并设于所述基板及所述散热片之间。
7.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于：所述热界面材料侧向延伸至所述散热环与所述散热片之间。
8.如权利要求5所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的材料为菲尔德合金。
9.如权利要求5所述的热界面材料，其特征在于：所述低熔点金属层的熔点介于150℃至230℃。
10.如权利要求5所述的热界面材料，其特征在于：所述石墨烯层的厚度介于45微米至100微米，所述低熔点金属层的厚度介于50微米至250微米。
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