[发明专利]用于半导体的粘合剂组合物、粘合剂膜和半导体装置

权利要求书

1.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65～350℃的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在第一放热峰带中具有由公式1计算的70～100%的固化率：

[公式1]

[（在0循环时的热值-1次循环后的热值）/在0循环时的热值]×100%。

2.如权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物在第二放热峰带中具有由公式1计算的0～20%的固化率。

3.如权利要求1所述的粘合剂组合物，其中，所述第一放热峰在65～185℃的温度出现，且所述第二放热峰在155～350℃的温度出现。

4.如权利要求1至3的任一项所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物包括热塑性树脂、环氧树脂、固化剂和固化催化剂，所述固化剂包括两种在不同的反应温度带活化的固化剂，且所述固化催化剂选择性地促进在较低反应温度带中活化的固化剂的固化反应。

5.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述固化剂包括酚类固化剂和胺类固化剂，且所述固化催化剂为含磷的催化剂。

6.如权利要求5所述的粘合剂组合物，其中，所述酚类固化剂为由通式1表示的一种：

其中，R₁和R₂各自独立地为C₁至C₆烷基，且n为2至100。

7.如权利要求5所述的粘合剂组合物，其中，所述胺类固化剂为由通式2表示的一种：

其中，A为单键或选自由-CH₂-、-CH₂CH₂-、-SO₂-、-NHCO-、-C(CH₃)₂-和-O-组成的组中，R₁至R₁₀各自独立地选自氢、C₁至C₄烷基、C₁至C₄烷氧基和胺基，附带条件为R₁至R₁₀包括至少两个胺基。

8.如权利要求5所述的粘合剂组合物，其中所述酚类固化剂与所述胺类固化剂的重量比为3：1至1：11。

9.如权利要求4所述的粘合剂组合物，进一步包括：填料和硅烷偶联剂。

10.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65～350℃的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在1次循环后具有15%或更少的孔隙比率。

11.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65～350℃的温度显示出两个放热峰，其中，第一放热峰在比第二放热峰低的温度出现，所述粘合剂组合物在第一放热峰带中具有由公式2计算的70%～100%的峰高降低率：

[公式2]

[（在0循环时的峰高-1次循环后的峰高）/在0循环时的峰高]×100%。

12.如权利要求11所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物在第二放热峰带中具有由公式2计算的0～20%的峰高降低率。

13.如权利要求11所述的粘合剂组合物，其中，所述第一放热峰带具有0.01～0.5W/g的峰高。

14.如权利要求11所述的粘合剂组合物，其中，第二放热峰带具有0.5～1.0W/g的峰高。

15.如权利要求10或11所述的粘合剂组合物，其中，所述第一放热峰在65～185℃的温度出现，且所述第二放热峰在155～350℃的温度出现。

16.如权利要求10或11所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物包括16～65wt%的热塑性树脂、10～25wt%的环氧树脂、0.5～14wt%的酚类固化剂、1～10wt%的胺类固化剂、0.1～10wt%的含磷的催化剂、0.14～5wt%的硅烷偶联剂和10～60wt%的填料。

17.一种粘合剂膜，所述粘合剂膜包括如权利要求1～16中任一项所述的粘合剂组合物。

18.一种半导体装置，所述半导体装置包括如权利要求1～16中任一项所述的粘合剂组合物。