[发明专利]半导体接合焊盘结构及其制造方法、以及集成电路

权利要求书

1.一种半导体接合焊盘结构，其特征在于包括：中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为裸露出的第一金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔；

并且，所述中心部分的外周的一侧或者多侧上分别布置了一条或者多条的长条形凹槽；其中，在所述一条或者多条的长条形凹槽的底部和侧壁上布置了与所述通孔中材料相同的第二金属层，在所述第二金属层上布置了与所述第一金属薄膜具有相同材料的第三金属层，其中所述第三金属层与所述第一金属薄膜整体形成，并且所述长条形凹槽内的所述第三金属层的上表面低于所述第一金属薄膜的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，在所述中心部分的外周的每一侧上均分别布置了一条或者多条的长条形凹槽。

3.根据权利要求1所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，所述中心部分的外周的一侧或者多侧上分别布置了两条长条形凹槽。

4.根据权利要求1至3之一所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，所述第一金属薄膜是铝膜。

5.根据权利要求1至3之一所述的半导体接合焊盘结构，其特征在于，所护外周部分中形成有通孔矩阵。

6.一种采用了根据权利要求1至5之一所述的半导体接合焊盘结构的集成电路。

7.一种半导体接合焊盘结构制造方法，其特征在于包括：

对下层金属层上的介质层进行刻蚀，以形成与半导体接合焊盘结构的外周部分中的通孔对应的通孔刻蚀图案以及半导体接合焊盘结构的中心部分的长条形凹槽；

沉积第二金属，从而填充通孔刻蚀图案来形成通孔，并且在所述长条形凹槽的底部和侧表面形成第二金属层；

进行平坦化，从而去除所述通孔刻蚀图案以及所述长条形凹槽之外的第二金属；沉积第三金属，从而在半导体接合焊盘结构上形成第一金属薄膜，其中在所述第二金属层上形成第三金属层，所述长条形凹槽内的所述第三金属层的上表面低于半导体接合焊盘结构的其它区域上的所述第一金属薄膜的上表面。

8.根据权利要求7所述的半导体接合焊盘结构制造方法，其特征在于，所述第二金属为金属钨。

9.根据权利要求7或8所述的半导体接合焊盘结构制造方法，其特征在于，所述第三金属为金属铝。