[发明专利]布线结构及其制造方法以及电子设备及其制造方法有效
申请号: | 201210258784.9 | 申请日: | 2012-07-24 |
公开(公告)号: | CN102969299A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 神吉刚司;须田章一;中田义弘 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 结构 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种布线结构,包括:
形成在衬底之上的绝缘膜;
形成在所述绝缘膜上的多个布线;以及
诱导层,所述诱导层形成在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜上,所述布线的构成原子在所述诱导层中扩散。
2.根据权利要求1所述的布线结构,还包括:
凹部,所述凹部形成在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜中,
其中所述诱导层形成在所述凹部的底部和侧部上。
3.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述诱导层形成在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜的表面部分上,并且所述诱导层是所述绝缘膜的粗糙化部分。
4.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述诱导层形成在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜的表面部分上,并且所述诱导层是所述绝缘膜的损坏部分。
5.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述诱导层包括卤素离子。
6.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述诱导层包括聚丙烯酸。
7.根据权利要求1所述的布线结构,还包括:
阻挡膜,所述阻挡膜形成在所述布线的顶面和侧面上,并且抑制所述布线的构成原子的扩散;以及
另一绝缘膜,所述另一绝缘膜被形成为覆盖所述多个布线。
8.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述绝缘膜是有机树脂膜。
9.一种用于制造布线结构的方法,包括:
在衬底之上形成绝缘膜;
在所述绝缘膜上形成多个布线;以及
在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜上形成诱导层,所述布线的构成原子在所述诱导层中扩散。
10.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,还包括:
通过在形成所述多个布线之后、形成所述诱导层之前对所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜进行蚀刻,来在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜中形成凹部;
其中,关于所述诱导层的形成,将所述诱导层形成在所述凹部的底部和侧部上。
11.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,其中,关于所述诱导层的形成,通过使所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜的表面部分粗糙化来形成所述诱导层。
12.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,其中,关于所述诱导层的形成,通过使所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜的表面部分损坏来形成所述诱导层。
13.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,其中,关于所述诱导层的形成,在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜上形成包括卤素离子的所述诱导层。
14.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,其中,关于所述诱导层的形成,通过将卤素离子附着或引入到所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜来形成包括卤素离子的所述诱导层。
15.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,其中,关于所述诱导层的形成,在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜上形成包括聚丙烯酸的所述诱导层。
16.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,还包括:
在所述布线的顶面和侧面上形成阻挡膜,所述阻挡膜被构造成抑制所述布线的构成原子的扩散;以及
形成另一绝缘膜以覆盖所述多个布线。
17.根据权利要求9所述的用于制造布线结构的方法,其中所述绝缘膜是有机树脂膜。
18.一种电子设备,包括:
形成在衬底之上的绝缘膜;
形成在所述绝缘膜上的多个布线;以及
诱导层,所述诱导层形成在所述多个布线之间的区域中的所述绝缘膜上,所述布线的构成原子在所述诱导层中扩散。
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