[发明专利]中介基材及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基材及其制作方法，且特别是涉及一种中介基材及其制作方法。

背景技术

在现今的资讯社会中，电子产品的设计是朝向轻、薄、短、小的趋势迈进，因此发展出诸如堆叠式半导体元件封装等有利于微型化的封装技术。堆叠式半导体元件封装是利用垂直堆叠的方式将多个半导体元件封装于同一封装结构中，以提升封装密度，有助于封装体小型化。

现行的堆叠式半导体元件封装通常会在中介基材(interposed susbtrate)内制作穿硅导孔(through silicon vias,TSV)，其中穿硅导孔的作用是在芯片与芯片间、晶片与晶片间制作垂直导通互连的角色。穿硅导孔的制作，首先，在硅晶片上进行穿孔制作，接着通过电镀的方式来进行填孔制作工艺，而形成该穿硅导孔。之后，也会在中介基材上进行重配置布线层(redistribution layer)以及凸块的制作，以使中介基材可以顺利接合至承载基板。

然而，上述的中介基材的材质是采用硅晶片，因此所需的成本较高。此外，穿硅导孔通常是伴随着半导体晶片上的元件一起制作，因此为了避免导电材料进入硅晶片的电路的主动区域内，通常会先形成保护于硅晶片上以及穿孔的内壁上，接着在制作完成穿硅导孔后，移除保护层而使穿硅导孔与其他元件隔离。但上述的此制作过程较为繁复。

发明内容

本发明的目的在于提供一种中介基材，可有效降低成本且具有较佳的结构及电性可靠度。

本发明的再一目的在于提供一种中介基材的制作方法，用以制作上述的中介基材。

为达上述目的，本发明提出一种中介基材的制作方法，其包括以下步骤。提供一金属载板。形成一光致抗蚀剂层于金属载板上。光致抗蚀剂层具有多个开口，且开口暴露出金属载板的一部分。于光致抗蚀剂层的开口中形成多个金属保护垫。金属保护垫覆盖开口所暴露出的金属载板的此部分。形成多个导电柱于光致抗蚀剂层的开口中，导电柱分别堆叠于金属保护垫上。移除光致抗蚀剂层以暴露出金属载板的另一部分。形成一绝缘材料层于金属载板上。绝缘材料层覆盖金属载板的另一部分且包覆导电柱以及金属保护垫。移除金属载板，以暴露出绝缘材料层相对于上表面的一下表面。

本发明还提出一种中介基材，其包括一绝缘材料层以及多个导电柱。绝缘材料层具有彼此相对的一上表面与一下表面以及多个贯穿绝缘材料层的贯孔。导电柱分别配置于绝缘材料层的贯孔内。导电柱具有彼此相对的一顶表面以及一底表面。每一导电柱的顶表面与绝缘材料层的上表面齐平。

基于上述，由于本发明的中介基材的制作是通过金属载板来制作导电柱，接着形成绝缘材料层于金属载板上以包覆导电柱，而后移除金属载板而暴露出绝缘材料层的下表面。如此一来，相较于现有采用硅晶片来制作的中介基材而言，本发明的中介基材无需采用硅晶片也无须额外制作绝缘层，因此可有效降低生产成本且具有较为简单的制作步骤。再者，由于绝缘材料层包覆导电柱，因此无需额外制作绝缘层也不会有漏电的问题产生，故本发明的中介基材可具有较佳的电性可靠度。此外，导电柱被绝缘材料层所包覆，因此于移除金属载板时，蚀刻液并不会侵蚀到导电柱，故本发明的中介基材可具有较佳的结构可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G为本发明的一实施例的一种中介基材的制作方法的剖面示意图；

图1H为本发明的一实施例的一种中介基材的剖面示意图；

图2A至图2D为本发明的一实施例的一种中介基材的制作方法的局部步骤的剖面示意图；

图2E为本发明的一实施例的一种中介基材的剖面示意图；

图3A至图3E为本发明的另一实施例的一种中介基材的制作方法的剖面示意图；

图3F为本发明的另一实施例的一种中介基材的剖面示意图；

图4A为本发明的另一实施例的一种中介基材的剖面示意图；

图4B为本发明的另一实施例的一种中介基材的剖面示意图。

主要元件符号说明

10：胶带

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h：中介基材

110：金属载板

112：光致抗蚀剂层

113：开口

120：金属保护垫

122：底表面

130：导电柱

132：顶表面

134：底表面

140a、140：绝缘材料层