[发明专利]一种具有周期结构的半导体及其制备方法

权利要求书

1.一种具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

1）提供一AAO模板，所述AAO模板至少包括一铝基底及结合于所述铝基底表面的氧化铝层，所述氧化铝层具有多个周期排列且具有底部的孔道，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层的表面；

2）采用选择性腐蚀技术去除所述铝基底；

3）采用选择性腐蚀技术去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔；

4）提供一半导体衬底，键合所述氧化铝层及所述半导体衬底，然后去除覆盖于所述氧化铝层的表面的及所述通孔内的光刻胶；

5）采用选择性外延技术于各该通孔内填充半导体材料；

6）采用选择性腐蚀技术去除所述氧化铝层，以完成所述具有周期结构的半导体的制备。

2.根据权利要求1所述的具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中，采用CuCl₂作为腐蚀剂去除所述铝基底。

3.根据权利要求1所述的具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中，采用磷酸作为腐蚀剂刻蚀所述氧化铝层的下表面，以去除各该孔道的底部，形成通孔。

4.根据权利要求1所述的具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于：所述步骤3）还包括对去除各该孔道的底部后所得的表面进行机械化学抛光的步骤。

5.根据权利要求1所述的具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底为Si衬底、Ge衬底或Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底。

6.根据权利要求5所述的具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于：所述半导体材料为Si、Ge或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，且所述半导体材料与所述半导体衬底的材料相同。

7.根据权利要求5所述的具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于：所述半导体材料为Si、Ge或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，且所述半导体材料与所述半导体衬底的材料相异。

8.根据权利要求1所述的具有周期结构的半导体的制备方法，其特征在于：所述光刻胶为聚甲基丙烯酸甲酯，所述步骤4）中，采用氯仿、乙酸、乙酸乙酯、丙酮、苯酚或苯甲醚溶液去除所述光刻胶。

9.一种依据权利要求1~8任意一项所述的具有周期结构的半导体的制备方法所制备的具有周期结构的半导体。