[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

a)提供由第一半导体材料构成的衬底(100)，在该衬底(100)中形成隔离区(120)，在该衬底(100)之上形成栅极堆叠；

b)在栅极堆叠的侧壁上形成侧墙；

c)以带有侧墙的栅极堆叠为掩模，对衬底(100)进行刻蚀，在带有侧墙的栅极堆叠与隔离区(120)之间形成凹陷(130)；

d)在所述凹陷(130)内生长不同于第一半导体材料的第二半导体材料，形成伪源/漏区(140)；

e)形成至少一层覆盖整个半导体结构的介质层；

f)去除所述至少一层介质层的一部分以形成到达所述伪源/漏区(140)的接触孔(303)，移除所述伪源/漏区(140)形成源/漏区空腔(131)；

g)在所述源/漏区空腔(131)内形成替换源/漏区(304)，并在所述接触孔(303)内形成与该替换源/漏区电连接的接触塞(306)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤a中还包括以栅极堆叠为掩模进行源漏延伸区注入和/或晕注入。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤e中所述形成至少一层覆盖所述栅极堆叠和所述伪源/漏区(140)的介质层包括：

形成覆盖整个半导体结构的氮化硅介质层(301)，再形成覆盖所述氮化硅介质层(301)的氧化硅介质层(302)。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述接触塞(306)之前，步骤g还包括：

形成覆盖整个半导体结构的金属层；

进行退火，在由接触孔暴露的所述替换源/漏区(304)表面形成接触层(305)；

除去未发生反应的金属层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述退火处理的温度大于或等于300℃，并小于或等于500℃。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述金属层之前还包括：

采用离子注入、沉积非晶化物或者原位掺杂生长的方式，对由接触孔暴露的所述替换源/漏区(304)进行预非晶化处理，形成局部非晶区域。

7.根据权利要求4至6任一项所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料是Ni、Pt或其组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述接触塞(306)之前，步骤e还包括：

在所述接触孔(303)的侧壁以及底部形成衬层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤d中形成所述伪源/漏区(140)的方法包括：

在所述凹陷(130)中选择性外延生长SiGe以形成所述伪源/漏区(140)，所述SiGe中Ge的比重为5％～20％，所述伪源/漏区(140)的高度高于所述源漏延伸区的PN结的下表面。

10.根据权利要求1所述的方法，在步骤f中还包括对形成的所述源/漏区空腔(131)进一步刻蚀，形成截面为∑形状的扩大的源/漏区空腔(132)。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述∑形状的扩大的源/漏区空腔(132)的方法包括：

对于硅衬底，使用TMAH或KOH进一步刻蚀所述源/漏区空腔(131)以形成所述截面为∑形状的扩大的源/漏区空腔(132)。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述扩大的源/漏区空腔(132)的侧壁为{111}晶面。

13.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述衬底(100)的上表面为{100}或{110}晶面。