[发明专利]芯片上测试开关矩阵

权利要求书

1.一种芯片上测试开关矩阵，包括位于绝缘基底层上的M个器件焊盘和N个测试焊盘或测试接触垫，其中M≥N，M、N分别是大于1的整数，

其中，在每一个器件焊盘和每一个测试焊盘或测试接触垫之间形成初始断开或初始闭合的开关。

2.根据权利要求1所述的芯片上测试开关矩阵，其中初始断开的开关包括位于绝缘基底层中的堆叠的导电通道和电介质衬里，并且电介质衬里作为开关的断开点，从而断开器件焊盘和测试焊盘或测试接触垫之间的导电路径。

3.根据权利要求2所述的芯片上测试开关矩阵，其中在选择的一个器件焊盘和选择的一个测试焊盘或测试接触垫之间施加电压时，对于初始断开的开关，作用在电介质衬里上的电场使得电介质衬里击穿，从而连通所述选择的一个器件焊盘和所述选择的一个测试焊盘或测试接触垫之间的导电路径。

4.根据权利要求2所述的芯片上测试开关矩阵，其中电介质衬里由氧化物、氧氮化物和高K材料中的至少一种组成。

5.根据权利要求4所述的芯片上测试开关矩阵，高K材料包括HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂和LaAlO中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的芯片上测试开关矩阵，其中电介质衬里由低温氧化物组成。

7.根据权利要求2所述的芯片上测试开关矩阵，其中电介质衬里的厚度为1nm-4nm。

8.根据权利要求1所述的芯片上测试开关矩阵，其中初始闭合的开关包括位于绝缘基底层中的导电通道，从而连通器件焊盘和测试焊盘或测试接触垫之间的导电路径。

9.根据权利要求8所述的芯片上测试开关矩阵，其中在选择的一个器件焊盘和选择的一个测试焊盘或测试接触垫之间施加电压时，对于初始闭合的开关，作用在导电通道上的电场使得导电通道烧断，从而断开所述选择的一个器件焊盘和所述选择的一个测试焊盘或测试接触垫之间的导电路径。

10.根据权利要求1所述的芯片上测试开关矩阵，还包括：

M条下部导电线，所述下部导电线位于绝缘基底层中，用于连接开关和器件焊盘；以及

N条测试线，所述测试线位于绝缘基底层上，用于连接开关和测试焊盘或测试接触垫。