[发明专利]半导体芯片、应用其的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

一基材；以及

一阶梯状导电柱，形成于该基材且包括：

一第一导电柱；及

一第二导电柱，形成于该第一导电柱上，该第二导电柱的剖面积小于该第一导电柱的剖面积；

其中，该第一导电柱及该第二导电柱中至少一者各包括一第一部分及一第二部分，该第二部分连接于该第一部分且与该第一部分之间形成一凹部。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该第二导电柱的体积小于该第一导电柱的体积，且该第一导电柱的体积介于该第二导电柱的体积的0.1至5倍之间。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该第一导电柱及该第二导电柱中至少一者各包括：

一连接部分，连接该第一部分与该第二部分，该连接部分的剖面积小于该第一部分的剖面积及该第二部分的剖面积。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该第一导电柱及该第二导电柱的剖面形状各为圆形、椭圆形或多边形。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，包括：

相邻的二该阶梯状导电柱，相邻的该二导电柱的间距小于80微米。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该第一导电柱的高度介于2至50微米之间，该第二导电柱的高度介于该第一导电柱的高度的3至6倍之间。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，其中整个该第二导电柱与该第一导电柱重迭。

8.一种半导体结构，包括：

一基板；

一半导体芯片，设于该基板上且包括：

一基材；及

一阶梯状导电柱，形成于该基材上且包括：

一第一导电柱；及

一第二导电柱，形成于该第一导电柱上，该第二导电柱的剖面积小于该第一导电柱的剖面积；

其中，该第一导电柱及该第二导电柱中至少一者各包括一第一部分及一第二部分，该第二部分连接于该第一部分且与该第一部分之间形成一凹部；以及

一底胶，形成于该基板与该半导体芯片之间。

9.一种半导体芯片的制造方法，包括：

提供一基材；以及

形成一阶梯状导电柱于该基材上，其中该阶梯状导电柱包括一第一导电柱及一第二导电柱，该第二导电柱形成于该第一导电柱上，该第二导电柱的剖面积小于该第一导电柱的剖面积，该第一导电柱及该第二导电柱中至少一者各包括一第一部分及一第二部分，该第二部分连接于该第一部分且与该第一部分之间形成一凹部。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中该第一导电柱及该第二导电柱中至少一者各包括：

一连接部分，连接该第一部分与该第二部分，该连接部分的剖面积小于该第一部分的剖面积及该第二部分的剖面积。