[发明专利]发光二极管封装件

说明书

本申请要求于2011年3月2日提交的第10-2011-0018519号韩国专利申请的优先权和权益，为了如这里所充分阐述的所有目的，通过引用将该申请包含于此。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装件，更具体地讲，涉及一种具有优异可靠性的发光二极管封装件。

背景技术

通常，发光二极管封装件包括发光二极管芯片和用于将功率施加到发光二极管芯片的引线框架。引线框架由封装件主体支撑并通过键合引线电连接到发光二极管芯片。封装件主体不仅用于支撑引线框架，还用于保护包括容纳在其中的发光二极管芯片。

发光二极管封装件通常具有一对发光二极管芯片安装在一对面对的引线框架上的结构。

图1是传统发光二极管封装件的平面图。

参照图1，一对引线框架2a、2b通过限定在它们之间的线性间隙而布置，并被由塑料材料制成的封装件主体4支撑。一对发光二极管芯片6a、6b分别安装在一对引线框架2a、2b上。封装件主体4包括腔，一对发光二极管芯片6a、6b通过腔暴露，并且腔填充有透光包封材料，使得从发光二极管芯片6a、6b发射的光穿过包封材料。

在传统的LED封装件中，一条键合引线w1连接在第一引线框架2a上的第一发光二极管芯片6a和第二引线框架2b之间，另一条键合引线w2连接在第二引线框架2b上的第二发光二极管芯片6b和第一引线框架2a之间。

需要确保在发光二极管芯片6a或6b的内端与引线框架2a或2b的内端之间有充足的引线键合区域，在试图减小第一发光二极管6a和第二发光二极管芯片6b之间的距离时造成许多限制。当在发光二极管芯片6a或6b的内端与引线框架2a或2b的内端之间确保不了充足的引线键合区域时，定位齐纳二极管(Zener diode)7受到了许多限制。

在引线框架上形成用于容纳发光二极管芯片的孔杯(hole cup)的技术应用到发光二极管封装件可以改善发光二极管封装件的发光效率和散热性能。然而，因由引线框架的不足的引线键合区域导致的对孔杯的尺寸限制，难以将该技术应用到如上所述的传统的发光二极管封装件。

发明内容

本发明的一个示例性实施例提供了一种发光二极管封装件，该发光二极管封装件被构造成在未增大安装在相邻的引线框架上的发光二极管芯片之间的距离的情况下，允许用于引线框架的引线键合区域或齐纳二极管的安装区域增大。

本发明的另一示例性实施例提供了一种发光二极管封装件，该发光二极管封装件被构造成在将孔杯应用到相邻的引线框架而未减小孔杯的尺寸的情况下，允许用于引线框架的引线键合区域或齐纳二极管的安装区域增大。

本发明的附加特征将在下面的描述中被阐述，并且部分通过描述将是明显的，或者可以通过本发明的实践而获得。

根据本发明的一方面，一种发光二极管封装件包括：第一引线框架，包括形成在其中的第一孔杯；第二引线框架，包括形成在其中的第二孔杯并被设置成面对第一引线框架，在第一引线框架和第二引线框架之间设置有间隙；第一发光二极管芯片，设置在第一孔杯上；以及第二发光二极管芯片，设置在第二孔杯上。这里，第一引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在间隙和第一孔杯之间的第一扩大区域，第二引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在间隙和第二孔杯之间的第二扩大区域。

根据一个示例性实施例，第一扩大区域和第二扩大区域可以通过弯曲形状或倾斜线形状的间隙而形成。

根据一个示例性实施例，从第一发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端可以键合到第二扩大区域，从第二发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端可以键合到第一扩大区域。

根据一个示例性实施例，第一扩大区域或第二扩大区域可以包括齐纳二极管。

根据一个示例性实施例，第一扩大区域可以沿对角线方向面对第二扩大区域，并且在第一扩大区域和第二扩大区域之间设置有所述间隙。

根据本发明的另一方面，一种发光二极管封装件包括：第一引线框架和第二引线框架，被布置成使得其间设置有间隙的第一引线框架和第二引线框架的内端彼此相邻；以及第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，分别设置在第一引线框架和第二引线框架上。这里，每个内端包括扩大引线键合区域的引端和连接到引端的尾端，从第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片延伸出的每条键合引线键合到在对应的引端附近的扩大区域。

根据一个示例性实施例，第一引线框架包括容纳第一发光二极管芯片的第一孔杯，第二引线框架包括容纳第二发光二极管芯片的第二孔杯。