[发明专利]发光二极管封装件有效

专利信息
申请号: 201210052644.6 申请日: 2012-03-02
公开(公告)号: CN102655142B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 姜都滢;金墺石 申请(专利权)人: 首尔半导体株式会社
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/62;H01L25/16
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 韩明星
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:

第一引线框架,包括形成在其中的第一孔杯,第一孔杯具有与第一引线框架的底表面平行的第一边缘和第二边缘;

第二引线框架,包括形成在其中的第二孔杯并被设置成面对第一引线框架,在第一引线框架和第二引线框架之间设置有间隙,第二孔杯具有与第二引线框架的底表面平行的第三边缘和第四边缘;

第一发光二极管芯片,设置在第一孔杯上;以及

第二发光二极管芯片,设置在第二孔杯上,

其中,所述间隙形成在第一孔杯和第二孔杯的彼此相邻的第二边缘与第三边缘之间,

其中,第一引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第一孔杯之间的第一扩大区域,第二引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第二孔杯之间的第二扩大区域,齐纳二极管设置在第一扩大区域或第二扩大区域上,

其中,从第一发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第二扩大区域的设置在第三边缘上的部分,从第二发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第一扩大区域的设置在第二边缘上的部分。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,第一扩大区域和第二扩大区域通过弯曲形状或倾斜线形状的间隙而形成。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,第一扩大区域沿对角线方向面对第二扩大区域,并且在第一扩大区域和第二扩大区域之间设置有所述间隙。

4.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:

第一引线框架和第二引线框架,被布置成使得其间设置有间隙的第一引线框架和第二引线框架的内端彼此相邻,第一引线框架包括形成在其中的第一孔杯,第一孔杯具有与第一引线框架的底表面平行的第一边缘和第二边缘,第二引线框架包括形成在其中的第二孔杯并被设置成面对第一引线框架,第二孔杯具有与第二引线框架的底表面平行的第三边缘和第四边缘;

第一发光二极管芯片,设置在第一孔杯上;以及

第二发光二极管芯片,设置在第二孔杯上,其中,所述间隙形成在第一孔杯和第二孔杯的彼此相邻的第二边缘与第三边缘之间,

其中,第一引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第一孔杯之间的第一扩大区域,第二引线框架具有面积比与其相邻的区域大并形成在所述间隙和第二孔杯之间的第二扩大区域,

其中,从第一发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第二扩大区域的设置在第三边缘上的部分,从第二发光二极管芯片延伸出的键合引线的一端键合到第一扩大区域的设置在第二边缘上的部分,

其中,每个内端包括与第一扩大区域或第二扩大区域对应的引端和连接到引端的尾端,齐纳二极管设置在与第一扩大区域或第二扩大区域对应的引端上,布置在设置有齐纳二极管的第二边缘或第三边缘上的键合引线的一端位于齐纳二极管与连接到引端的尾端之间。

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