[发明专利]包括两个半导体芯片的器件及其制造

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一半导体芯片，在第一面上包括第一接触垫；

第二半导体芯片，在第一面上包括第一接触垫，其中，所述第二半导体芯片被放置在所述第一半导体芯片之上，并且，所述第一半导体芯片的第一面面向所述第二半导体芯片的第一面；以及

唯一导电材料层，布置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间，其中，所述唯一导电材料层将所述第一半导体芯片的第一接触垫电耦合至所述第二半导体芯片的第一接触垫。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述唯一导电材料层包括第一面和与所述第一面相对的第二面，其中，所述唯一导电材料层的第一面与所述第一半导体芯片的第一接触垫直接接触，并且所述唯一导电材料层的第二面与所述第二半导体芯片的第一接触垫直接接触。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一半导体芯片的第一接触垫的外形限定了所述第一半导体芯片的第一面的第一区段，并且所述第二半导体芯片置于所述第一区段内。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一半导体芯片在与所述第一面相对的第二面上包括第二接触垫。

5.根据权利要求4所述的器件，还包括导电载体，其中，所述第一半导体芯片置于载体上，其第二面面向载体。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述载体的表面形成所述器件的安装表面。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二半导体芯片在与所述第一面相对的第二面上包括第二接触垫。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片均为功率半导体芯片。

9.根据权利要求1所述的器件，还包括对所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片进行包封的层压材料。

10.根据权利要求9所述的器件，还包括置于所述层压材料上的金属层。

11.根据权利要求10所述的器件，还包括贯穿所述层压材料且将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片电耦合至所述金属层的通孔。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述金属层的表面形成所述器件的安装表面。

13.根据权利要求1所述的器件，还包括置于所述第一半导体芯片之上的第三半导体芯片。

14.根据权利要求13所述的器件，其中，所述第三半导体芯片被配置为控制所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。

15.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电材料包括从由以下各项构成的组选择的材料：软焊接材料、扩散焊接材料、导电粘合剂、以及由金属纳米粒子制成的材料。

16.一种器件，包括：

第一半导体芯片，在第一面上包括第一接触垫并在与所述第一面相对的第二面上包括第二接触垫；

第二半导体芯片，在第一面上包括第一接触垫并在与所述第一面相对的第二面上包括第二接触垫，其中，所述第二半导体芯片置于所述第一半导体芯片之上；以及

层压材料，对所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片进行包封。

17.根据权利要求16所述的器件，所述第一半导体芯片的第一面面向所述第二半导体芯片的第一面，并且所述第一半导体芯片的第一接触垫电耦合至所述第二半导体芯片的第一接触垫。

18.根据权利要求16所述的器件，还包括置于所述层压材料上的金属层，其中，所述金属层的表面形成所述器件的安装表面。

19.根据权利要求18所述的器件，还包括贯穿所述层压材料且将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片电耦合至所述金属层的通孔。

20.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

将唯一导电材料层沉积在第一半导体芯片上，其中，所述第一半导体芯片的第一接触垫与所述导电材料直接接触；以及

将包括第一接触垫的第二半导体芯片置于所述第一半导体芯片之上，其中，所述第二半导体芯片的第一接触垫与所述导电材料直接接触。