[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201180000675.0 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102334183A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 池上智朗;中西和幸;田丸雅规 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
标准单元，其具有在第一方向上延伸、并且在与所述第一方向正交的第二方向上以相同的间距配置的三个以上的栅极图案；以及
二极管单元，其在所述第一方向上与所述标准单元相邻，
其中，所述标准单元所具有的各所述栅极图案的终端在与所述二极管单元之间的单元边界附近，各终端部在所述第一方向上处于彼此相同的位置，并且在所述第二方向上的宽度彼此相同，
所述二极管单元具备：
具有作为二极管的功能的至少一个扩散层；以及
在所述单元边界附近，与所述标准单元所具有的各所述栅极图案的终端部相对置地配置的由栅极图案所形成的多个对置终端部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述二极管单元具备：在所述第一方向上延伸并且分别具有所述多个对置终端部的多个栅极图案。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述二极管单元具备：在所述第二方向上延伸、并且按照在该二极管单元内形成格子型的栅极图案的方式与所述多个栅极图案分别连接的第二栅极图案。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述二极管单元所具有的所述多个栅极图案，在所述第二方向上以与所述标准单元所具有的各所述栅极图案相同的间距配置，所述多个对置终端部在所述第一方向上处于彼此相同的位置并且在所述第二方向上的宽度彼此相同。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述二极管单元所具有的扩散层，在所述第二方向上以相同的间距配置在所述多个栅极图案彼此之间，并且在所述第二方向上的宽度彼此相同。
6.根据权利要求1到5任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述二极管单元所具有的栅极图案是伪图案。
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述二极管单元按照夹着所述多个栅极图案中的至少一个的方式配置所述扩散层，并且被所述扩散层夹着的栅极图案具有作为晶体管的栅极的功能。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述二极管单元具备构成所述多个对置终端部的至少一部分的伪图案，
所述伪图案具备：在所述第二方向上延伸的图案主体；以及在所述第一方向上从所述图案主体向所述标准单元突出的两个以上的突出部，
各所述突出部构成所述对置终端部。
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