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[发明专利]半导体装置-CN202080062985.4在审
发明人： 中西和幸;平田昭夫 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：具备：第1布线(11)；第2布线(12)，不与第1布线(11)连接，并且为了传递与第1布线(11)相同的信号电平而冗余地设置；以及其他布线(21、22)，是与第1布线(11)及第2布线(12)不同的布线；在布线层内，第1布线(11)与第2布线(12)的距离比第1布线(11)与其他布线(21、22)的距离大，并且比第2布线(12)与其他布线(21、22)的距离大。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080063006.7在审
发明人： 中西和幸;平田昭夫 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的半导体装置，具备：多个布线层(M1～M3)；第1布线(11)；以及第2布线(12)，不与第1布线(11)连接，并且为了传递与第1布线(11)相同的信号电平而冗余地设置；第1布线(11)和第2布线(12)属于不同的布线层；第1布线(11)与第2布线(12)的距离比相邻的布线层的层间距离c大。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080062996.2在审
发明人： 中西和幸 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：半导体装置具备：第1锁存电路(L1)，由第1翻转电路(i1)、第2翻转电路(i2)、第3翻转电路(i3)及第4翻转电路(i4)构成；第一型阱区域(Wp1、Wp2)；以及第二型阱区域(Wn1)；在平面视图中，漏极(p1)与漏极(p4)的距离比漏极(p1)与漏极(p3)的距离小。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及其设计方法-CN201580072311.1有效
发明人： 中西和幸;松冈大辅 -专利权人：松下半导体解决方案株式会社
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：第一电路，与接地电源线连接(112)；第二电路，与独立于接地电源线(112)的接地电源线(122)连接，由多个标准单元(23至25)构成；以及保护电路，介于并连接于第一电路以及第二电路之间，保护电路，包括：电阻元件(211)，串联连接于第一电路与第二电路之间；以及保护元件，介于并连接于电阻元件(211)的第二电路侧的节点、与接地电源线(122)之间，将该节点与该接地电源线(122)之间的电位差保持在规定的电压以下，保护电路被形成在保护单元(21以及22)，保护单元(21以及22)是被配置在域(20)的、单元高度为标准单元(23至25)的整数倍的单元。
半导体装置及其设计方法

[发明专利]半导体集成电路-CN201880086069.7在审
发明人： 中西和幸 -专利权人：松下半导体解决方案株式会社
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：具备具有第一从锁存器的第一触发器(1a)、具有第二从锁存器的第二触发器(2a)、以及向第一触发器(1a)和第二触发器(2a)供给共通的时钟信号的时钟生成电路(3)，第一从锁存器具有第一反相器(I14)、以来自第一反相器(I14)的输出信号作为输入的第一反馈反相器(I15)、以及连接在第一反相器(I14)的输入端子与第一反馈反相器(I15)的输出端子之间的第一开关(S13)，从第一反馈反相器(I15)的输出端子输出第一触发器(1a)的输出信号。
半导体集成电路

[发明专利]半导体集成电路、锁存电路以及触发器-CN201480070499.1有效
发明人： 中西和幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：提供一种既能够保证向半导体集成电路的写入工作以及数据保持能力，又能够有效地实现低耗电量的技术。被连接在第一节点与第二节点之间的半导体集成电路由第1至第四晶体管构成。并且，在第二节点的信号发生变化时，第四晶体管被导通，在第二晶体管的栅极被施加从第三电位位移了第四晶体管的阈值的电位。因此，能够容易地向半导体集成电路进行数据的写入，并且能够保证数据保持能力。
半导体集成电路电路以及触发器

[发明专利]半导体装置-CN201180020923.8有效
发明人： 中西和幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。连接供电用活性区域(DV0)与供电用金属布线(MV0)的供电用插头包括以规定长度的第1间距(S0)配置的多个第1插头(PV2～PV5)、和直到最近的第1插头(PV5)为止的中心间距离不同于第1间距(S0)的整数倍的第2插头(PVX0～PVX2)。并且，与供电用活性区域(DV0)及供电用金属布线(MV0)最靠近的布线用插头、即第3插头(P50)最靠近的供电用插头是第2插头(PVX0，PVX1)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201080058540.5有效
发明人：田丸雅规;中西和幸;西村英敏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外，相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a～15d)对置的4根栅极(15e～15h)。即，阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180000675.0有效
发明人：池上智朗;中西和幸;田丸雅规 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：标准单元(C1)具有在Y方向上延伸、并且在X方向上以相同的间距配置的栅极图案(G1、G2、G3)，其各终端部(e1、e2、e3)在Y方向上处于相同的位置，并且在X方向上的宽度相同。二极管单元(C2)在Y方向上与标准单元(C1)相邻，并且除了具有作为二极管的功能的扩散层(D1～D10)之外，还具备与终端部(e1、e2、e3)相对置地配置的由栅极图案(G4、G5、G6)形成的多个对置终端部(eo1、eo2、eo3)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201080002292.2有效
发明人： 中西和幸;田丸雅规 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其布局能够可靠地抑制因光接近效应引起的栅极长度的偏差，并且可以实现自由的布局设计。单元(C1)的栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，其终端部(e1、e2、e3)的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。单元(C2)的栅极图案(G4)具有沿Y方向朝向单元(C1)延伸的突出部(4b)，该突出部(4b)构成了对置终端部(eo1、eo2、eo3)。对置终端部(eo1、eo2、eo3)与栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，并且对置终端部的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。
半导体装置

[发明专利]单元和半导体器件-CN200710001254.5有效
发明人： 中西和幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-01-11 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单元，该单元包括多个扩散区对，每个扩散区对由作为晶体管的组成部分的第一掺杂扩散区、以及第二掺杂扩散区构成，使得第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极长度方向上并排设置，并且在两者之间插入有器件隔离区。在每个扩散区对中，第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极宽度方向上具有相同的长度，并且被设置在栅极宽度方向上的相同位置处；作为器件隔离区在第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区之间的部分的第一隔离区部分具有恒定的间隔长度。在所述扩散区对中，第一隔离区部分具有相同的间隔长度。
单元半导体器件

[发明专利]带自动延迟调整功能的电平变换电路-CN200410002580.4无效
发明人：伊东美和;中西和幸;平田昭夫;山本裕雄;初田次康 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-01-30 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种带自动延迟调整功能的电平变换电路，在输入端子(in)的输入信号的振幅电压(第1电源电压VDDL)变高而输出端子(out)的输出信号的振幅电压(第2电源电压VDDH)变低时，自输出端子(out)的信号的下降沿延迟时间容易比上升沿延迟时间变长。但因经倒相器(I1)的反转输入信号被输入电平变换部(L)并被输入N型晶体管(N3)的栅极，所以在输入端子(in)的输入信号下降时，N型晶体管(N3)为ON状态，电流由第2电源电压(VDDH)供给到电平变换部(L)的输出节点(n3)，辅助了在电平变换部(L)中向H电平的变换。从而能使输出信号的下降沿延迟时间特性和上升沿延迟时间特性的平衡保持良好状态。
自动延迟调整功能电平变换电路

[发明专利]触发器电路-CN200310101406.0有效
发明人：平田昭夫;袛园雅弘;中西和幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：一种触发器电路，具有采用动态电路的输入部和采用静态电路的输出部，在比时钟周期短的脉冲宽度的期间内进行数据存取，可以减少晶体管数量、电路面积，降低电能消耗。该触发器电路，将构成与输入部(1)的输出侧连接的锁存电路(2)的反相电路(INV1)的输出，作为控制部(3)的输入使用。这样，从控制部(3)向输入部(1)输出的控制信号得到稳定，可以防止电路元件不需要的动作，降低无为的电力消耗，另外，由于可以同时实现控制部(3)的构成的简化，所以可以减少构成中晶体管的数量，缩小电路面积。
触发器电路

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