[发明专利]半导体集成电路设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路设备。

背景技术

已出现对于针对物理改变和分析而保护安装在用于保存诸如个人信息的需要高安全性的数据的半导体集成电路设备上的电路的需求。在日本专利公开No.2006-012159中描述的半导体集成电路设备中，在要被保护的电路上形成布线线路(wiring line)。当检测到该布线线路的电压的变化时，半导体集成电路设备的检测电路确定该布线线路改变。但是，聚焦离子束(FIB)装置最近已变得可用。当使用FIB装置时，能够通过从半导体集成电路设备的前表面发射离子束来切割布线线路并且沉积布线金属。因此，即使当使用在日本专利公开No.2006-012159中描述的技术来保护电路时，如果使用FIB装置来沉积布线金属以绕过要被分析的部分并施加预定的电压，那么能够导致识别错误，即，能够使得检测电路的确定操作检测到正常状态而不是异常状态。

发明内容

上述的在要被保护的电路块上形成导电图案并且检测该导电图案的电势的变化的方法不能精确地检测导电图案的改变。因此，本发明的一个方面提供用于提高对于在要被保护的电路块上形成的导电图案的改变的检测精度的技术。

本发明的一个方面提供半导体集成电路设备，所述半导体集成电路设备包括：在半导体基板上形成的电路块；在电路块的要被保护的部分上形成的导电图案；被配置为将导电图案的第一部分的电势复位到基准电势的复位单元；被配置为连接第一部分与电流供给线的连接单元；和被配置为在第一部分的电势被复位到基准电势之后从第一部分与电流供给线相连接起经过了预定的时间时确定预设的范围是否包含第一部分的电压的检测电路，其中，第一部分的电压的变化依赖于导电图案的电路常数。

(参照附图)阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

被包含于说明书中并构成其一部分的附图示出本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是用于解释本发明的实施例的半导体集成电路设备的布置的例子的示图；

图2是用于解释本发明的实施例的检测电路的配置例子的示图；

图3A～3C是用于解释本发明的实施例的时序图的例子的示图；

图4是用于解释本发明的实施例的检测电路的另一配置例子的示图；

图5A～5C是用于解释本发明的实施例的时序图的其它例子的示图；

图6A～6F是用于解释本发明的实施例的导电图案105的形状的变更例的示图；

图7是用于解释包括本发明的实施例的多个导电图案的布置的示图；

图8是用于解释本发明的实施例的半导体集成电路设备的布置的另一个例子的示图；

图9是用于解释本发明的实施例的检测电路的另一配置例子的示图；

图10是用于解释本发明的实施例的时序图的另一个例子的示图；

图11是用于解释本发明的实施例的检测电路的又一配置例子的示图；以及

图12是用于解释本发明的实施例的时序图的又一例子的示图。

具体实施方式

以下将参照附图来解释本发明的实施例。现在将参照图1来解释根据本发明的实施例的半导体集成电路设备100的配置例子。半导体集成电路设备100可包含：在半导体基板101上形成的存储器电路102、控制电路103、处理电路108、以及检测电路104。存储器电路102可包含非易失性存储器和易失性存储器的至少之一，并且保存数据。控制电路103为例如CMOS逻辑电路，并且可控制处理电路108对于保存在存储器电路102中的数据的访问。即，控制电路103可控制处理电路108的对于到存储器电路102的数据写入和处理电路108的对于从存储器电路102的数据读取。处理电路108可处理保存在存储器电路102中的数据，并且将产生的数据输出到例如输出器件。存储器电路102、控制电路103和处理电路108可形成电路块106。电路块106可经由端子107与外部器件连接。