[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，特别涉及一种包含光学对准标志的半导体装置。

背景技术

在应用覆晶(COG)技术的显示装置中，透明基板的电极端子与驱动IC连接而驱动显示装置。覆晶技术通常是指IC芯片(如驱动IC)可直接与透明基板连接而无需其他类似挠性电路(Flexible Printed Circuit)的元件。通常电极端子可传输自IC芯片的信号至透明基板的电极，而使透明基板的电极可驱动显示装置。IC芯片的接触垫通过凸块连接电极端子并输出信号而驱动显示装置。在覆晶制程中，准确地对准(align)并连接接触垫至相对应的电极端子是很重要的步骤。近年来，电路的微小化有显著的进步，因此接触垫之间的间隔变得越来越窄。所以，只要电极端子与相对应的接触垫有些微的对准不良，将造成电极端子与接触垫之间的严重短路。

在覆晶制程下，当透明基板的电极端子连接IC芯片的接触垫时，IC芯片的对准标志(alignment mark)与透明基板的对准标志由在透明基板一侧的光检测器进行检测。由于光检测器必须准确地通过透明基板检测IC芯片上的对准标志，因此对准标志的清晰度就很重要。

如图1及图2所示的先前技术而言，IC芯片上的对准标志9利用蚀刻技术将部分区域91的氧化层92除去而显示出金属层93，由于金属层93(或称光反射层)所形成的亮区91与未蚀刻的氧化层92(或称抗反射层)所形成的暗区94相比之下，对于光检测器而言对比很大，因此便可利用金属层93与氧化层92的对比图案当成对准标志9，如图1所示。

虽然金属层93与氧化层92可作为透明基板与IC芯片连接时的对准标志9，但仍需耗费许多半导体制程上不必要的步骤，例如蚀刻及光罩显影，因此已知半导体装置的对准标志9仍有改进的空间。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种具有对准标志的半导体装置，可避免不必要的蚀刻步骤并具有相同对准功效，进而达到节省成本的目的。

为达上述目的，本发明提供一种半导体装置，其包含一半导体基板以及一光学对准标志；光学对准标志形成于该半导体基板上，且包含一第一亮区及一暗区；第一亮区相对于暗区而言反射亮度较高；换言之，暗区的亮度低于第一亮区的亮度；以结构而言，第一亮区包含一配线层及一保护层；配线层形成于该半导体基板上，而保护层则覆盖于该配线层之上；由于第一亮区自该配线层表面反射光线，该暗区包含形成于该半导体基板上的该保护层，该暗区自该半导体基板表面反射光线，因此第一亮区的亮度较自该半导体基板表面反射光线的暗区的亮度更亮。

为达上述目的，本发明揭示另一种半导体装置，其包含一半导体基板以及形成于该半导体基板上的光学对准标志；光学对准标志包含一第一亮区、一第二亮区及一暗区；该第一亮区包含形成于该半导体基板上的一配线层以及覆盖该配线层的一保护层，该第一亮区系自该配线层表面反射光线；该第二亮区的组成与该第一亮区相似都包含该配线层以及覆盖该配线层的该保护层；暗区则包含形成于该半导体基板上的该保护层；暗区设置于第一亮区及该第二亮区之间；换言之，该第一亮区及该第二亮区由该暗区所分隔开；由于第一亮区与第二亮区的组成相似，因此第一亮区与第二亮区由该配线层表面反射光线，而暗区则自该半导体基板表面反射光线，所以该暗区的亮度低于该第一亮区或该第二亮区的亮度。

本发明所述的半导体装置，其中，该第二亮区自该配线层表面反射光线，且该第二亮区的亮度等于该第一亮区的亮度。

本发明所述的半导体装置，其中，该第一亮区及该第二亮区的该配线层与该半导体基板之间形成一金属障壁层。

本发明所述的半导体装置，进一步包含一绝缘层，该绝缘层设置于该半导体基板与该金属障壁层之间。

本发明所述的半导体装置，其中，该配线层与该保护层之间并无形成任何抗反射层。

本发明所述的半导体装置，其中，该光学对准标志包含一平面形状，该平面形状选自十字形、T形、L形及倒L形。

本发明所述的半导体装置，进一步包含一透光保护层，该透光保护层设置于该保护层上。

本发明所述的半导体装置，其中，该透光保护层及该保护层的材料分别独立选自氮化物、氧化物及聚酰亚胺。

本发明所述的半导体装置，其中，该暗区进一步包含一透光保护层，覆盖于该保护层。

附图说明

图1为已知半导体装置的示意图；

图2为图1已知半导体装置的切线A-A′的剖面图；

图3为本发明一实施例的半导体装置的俯视图；