[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。

在实际应用中，需要对发光二极管芯片进行封装以保护发光二极管芯片。然而在一般的发光二极管芯片的封装制程中，荧光层通常是用涂抹的方式形成在发光二极管芯片上。然而采用涂抹的方式容易导致荧光层厚度过厚或不均匀，从而导致发光二极管封装结构出光不均匀，出光效率低。

发明内容

鉴于此，本发明旨在提供一种荧光层厚度均匀的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，包括基板，设置于该基板上的发光二极管芯片，该基板上设有彼此绝缘的第一电极和第二电极，该发光二极管芯片与该第一电极和第二电极分别形成电连接，该发光二极管封装结构还包括设置在该发光二极管芯片上的透光装置，该透光装置包括两透明板和夹设于两透明板之间的荧光层，且该两透明板相互平行。

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板包括一底板以及设置于该底板上且彼此电性绝缘的多对第一电极和第二电极；在基板上设置若干发光二极管芯片，且每一发光二极管芯片分别与其对应的第一电极和第二电极电连接；在基板上设置一透明覆盖层，该透明覆盖层密封该若干发光二极管芯片；提供一透光装置，该透光装置包括两透明板和夹设于两透明板之间的荧光层，且该两透明板相互平行；将透光装置覆盖于透明覆盖层的上方；对相邻的两对第一电极和第二电极之间的透光装置和透明覆盖层利用微影技术以及蚀刻技术进行处理，最后对基板进行切割得到单个的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板包括一底板以及设置于该底板上且彼此电性绝缘的多对第一电极和第二电极；在基板上设置若干发光二极管芯片，且每一发光二极管芯片分别与其对应的第一电极和第二电极电连接；提供一透光装置，该透光装置包括两透明板和夹设于两透明板之间的荧光层，且该两透明板相互平行；将透光装置覆盖于该若干发光二极管芯片的上表面；对透光装置进行微影技术以及蚀刻技术处理，从而使透光装置直接间隔形成在每一发光二极管芯片的上表面；在基板上设置一透明覆盖层，该透明覆盖层密封该若干发光二极管芯片和间隔设置的透光装置，最后利用切割技术得到单个的发光二极管封装结构。

本发明通过形成一透光装置，该透光装置具有两透明板和夹设于两透明板之间的荧光层，且该两透明板相互平行，再将透光装置设置于发光二极管芯片上，如此，可使荧光层的厚度更为均匀，从而使发光二极管封装结构出光更为均匀。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。

图2为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤一所提供的基板的剖面示意图。

图3为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤二所得到的封装结构的剖面示意图。

图4为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤三所得到的封装结构的剖面示意图。

图5为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤四所提供的透光装置的剖面示意图。

图6为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤五所得到的封装结构的剖面示意图。

图7为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤六所得到的封装结构的剖面示意图。

图8为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。

图9为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤一所提供的基板的剖面示意图。

图10为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤二所得到的封装结构的剖面示意图。

图11为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤三所提供的透光装置的剖面示意图。

图12为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤四所得到的封装结构的剖面示意图。

图13为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤五所得到的封装结构的剖面示意图。

图14为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的制造方法步骤六所得到的封装结构的剖面示意图。

主要元件符号说明