[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201110178148.0 | 申请日: | 2011-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN102315225A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | 石井齐;奥村尚久;西山拓 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L23/495;H01L21/8247;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;陈海红 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
相关申请的参照
本申请享有2010年6月29日申请的日本专利申请2010-147869的优先权,该日本专利申请的全部内容引用于本申请中。
技术领域
本实施方式一般涉及半导体存储装置及其制造方法。
背景技术
近年来,作为便携电话机和/或个人计算机等外部设备的存储装置,大多使用半导体存储装置,该半导体存储装置使用了NAND型闪速存储器等存储元件。作为由电子设备所使用的半导体存储装置,能够例示半导体存储卡。
在半导体存储装置中,在形成有外部端子的布线基板(有机基板)上搭载半导体存储器芯片和/或控制器芯片等半导体芯片。半导体芯片的电极应用引线接合法与布线基板的连接焊盘电连接,进而以覆盖半导体芯片整体的方式被进行树脂封装。
在这样的现有技术中,期望抑制有机基板的使用量,实现制造成本的抑制。
发明内容
本发明的实施方式提供能够抑制有机基板的使用量、实现制造成本的抑制的半导体存储装置。
根据实施方式,半导体存储装置具备:有机基板,其在一个面设置有外部连接端子;以及半导体存储器芯片,该半导体存储装置能够插入于外部设备。半导体存储装置进一步具备:引线框架,其具有载置半导体存储器芯片的载置部及以朝向从载置部向外部设备的插入方向侧延伸的方式形成并且粘接于有机基板的另一个面的粘接部;以及树脂模制部,其使外部连接端子露出而封装有机基板、引线框架及半导体存储器芯片,并且其俯视基本呈方形形状。有机基板被单片化为在粘接于粘接部的状态下、俯视与载置部几乎不重叠的形状。粘接部在插入方向的端部形成于树脂模制部内。引线框架在粘接部中,进一步具有第1延伸部,该第1延伸部延伸至树脂模制部的与插入方向侧的面不同的面。
根据本发明的实施方式,能够抑制有机基板的使用量,实现半导体存储装置的制造成本的抑制。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的半导体存储装置的外观的俯视图。
图2是表示图1所示的半导体存储装置的外观的仰视图。
图3是示意性地表示图1所示的半导体存储装置的内部结构的图。
图4是表示图1所示的半导体存储装置的沿A-A线的剖面结构的横剖面图。
图5是有机基板的仰视图。
图6是引线框架的俯视图。
图7是用于说明半导体存储装置的制造工序的流程图。
图8是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图9是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图10是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图11是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图12是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
图13是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
具体实施方式
以下参照附图,对实施方式所涉及的半导体存储装置及其制造方法详细地进行说明。另外,本发明并不由该实施方式所限定。
图1是表示第1实施方式所涉及的半导体存储装置的外观的俯视图。图2是表示图1所示的半导体存储装置的外观的仰视图。图3是示意性地表示图1所示的半导体存储装置的内部结构的图。图4是表示图1所示的半导体存储装置的沿A-A线的剖面结构的横剖面图。半导体存储装置10插入设置于个人计算机和/或数字照相机等外部设备的插槽而使用。半导体存储装置10作为外部存储装置而起作用。另外,半导体存储装置10的插入方向设定为由箭头X所图示的方向。
半导体存储装置10具备有机基板11、引线框架13、半导体存储器芯片15、控制器芯片16、电子部件17、树脂模制部18。半导体存储装置10如图1、2所示,以使外部连接端子19露出于底面侧的状态,其外周被树脂模制部18所覆盖。半导体存储装置10通过被树脂模制部18所覆盖,俯视基本呈方形形状。
有机基板11在例如绝缘性树脂基板的内部和/或表面设置有布线网,且其兼作元件搭载基板和端子形成基板。作为这样的有机基板11,可使用印刷布线板,该印刷布线板使用了玻璃环氧树脂和/或BT树脂(双马来酰亚胺三嗪树脂)等。虽然详细的图示省略,但是有机基板11为多层结构,存在由各层所使用的材料不相同的情况。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





