[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其能够插入于外部设备，其特征在于，具备：

有机基板，其在一个面设置有外部连接端子；

引线框架，其具有载置部及粘接部，所述载置部载置半导体存储器芯片，所述粘接部以从前述载置部朝向对前述外部设备的插入方向侧延伸的方式形成并且粘接于前述有机基板的另一个面；

半导体存储器芯片，其载置于前述载置部；以及

树脂模制部，其使前述外部连接端子露出而封装前述有机基板、前述引线框架及前述半导体存储器芯片，并且其俯视基本呈方形形状；

其中，前述有机基板被单片化为在粘接于前述粘接部的状态下、俯视前述有机基板与前述载置部不重叠的部分这一方比前述有机基板与前述载置部重叠的部分大的形状；

前述粘接部在前述插入方向的端部形成于前述树脂模制部内，前述引线框架在前述粘接部中，进一步具有第1延伸部，该第1延伸部延伸至前述树脂模制部的与前述插入方向侧的面不同的面。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

前述延伸部，与其靠前述载置部或前述粘接部侧的根基部分相比，其与前述树脂模制部的外部的边界部分这一方俯视形成得细。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

在前述引线框架，以朝向前述树脂模制部的与前述插入方向相对向的面而延伸的方式形成有第2延伸部。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

前述有机基板的一部分与前述载置部的一部分俯视重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

前述第1延伸部形成有多个；

各个前述第1延伸部延伸于与前述插入方向侧的面不同的面两面；

该半导体存储装置具有第3延伸部，该第3延伸部相对于前述第1延伸部相邻于与前述插入方向相对向的面侧；

前述第3延伸部与前述有机基板接触。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备：

搭载于前述有机基板的另一个面的控制器芯片。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：

在前述有机基板形成有内部布线；

前述内部布线与前述半导体存储器芯片之间以及前述内部布线与前述控制器芯片之间用接合引线连接，前述控制器芯片与前述半导体存储器芯片经由前述内部布线电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：

在前述有机基板形成有内部布线；

前述控制器芯片与前述外部连接端子经由前述内部布线电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备：

搭载于前述有机基板的另一个面的电子部件。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

前述半导体存储器芯片为NAND型闪速存储器。

11.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括：

将在一个面形成有外部连接端子的有机基板单片化为前述有机基板与载置部不重叠的部分这一方比前述有机基板与前述载置部重叠的部分大的俯视形状，所述载置部形成于引线框架而载置半导体存储器芯片；

前述引线框架具有从前述载置部延伸的粘接部，将前述粘接部粘接于前述有机基板的另一个面；

形成使前述外部连接端子露出而封装前述有机基板、前述引线框架以及前述半导体存储器芯片的树脂模制部；

前述粘接部在前述插入方向的端部形成于前述树脂模制部内，在前述引线框架，在前述粘接部中，形成有第1延伸部，该第1延伸部延伸至前述树脂模制部的与前述插入方向侧的面不同的面。

12.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括：

在前述有机基板的另一个面安装控制器芯片。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括：

在前述有机基板形成内部布线；

用接合引线连接前述内部布线与控制器芯片，用接合引线连接前述内部布线与前述半导体存储器芯片，经由前述内部布线将前述控制器芯片与前述半导体存储器芯片电连接。