[发明专利]集成电路装置及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

一第一工作件，包括：

一铜凸块，具有一上表面及侧壁；以及

一保护层，在该铜凸块的该侧壁上，而不在该上表面，其中该保护层包括一铜的化合物及一聚合物，且其中该保护层为一介电层。

2.如权利要求1所述的集成电路装置，还包括一非铜金属层在该铜凸块的该上表面上且与其接触。

3.如权利要求2所述的集成电路装置，还包括一焊料帽在该非铜金属层上且与其接触。

4.如权利要求2所述的集成电路装置，还包括一抛光金属与该非铜金属层的一上表面及侧壁接触。

5.如权利要求1所述的集成电路装置，还包括：

一第二工作件，在该第一工作件上；

一焊料区，将该第二工作件接合至该第一工作件，其中该焊料区包括至少一部分直接在该铜凸块之上且与其电性耦接；以及

一底部填充胶，在该第一及第二工作件之间，其中该底部填充胶与该保护层接触。

6.一种集成电路的制造方法，包括：

提供一第一工作件，该第一工作件包括具有一上表面及侧壁的一铜凸块；

在该铜凸块的侧壁形成一聚合物层，且其不与该铜凸块的该上表面接触；

固化该聚合物层，其中该聚合物层部分与该铜凸块反应以在该铜凸块的该侧壁形成一保护层；以及

移除该聚合物层未反应的部分，且保留在该铜凸块的该侧壁上的该保护层。

7.如权利要求6所述的集成电路的制造方法，还包括在形成该聚合物层之前，形成一非铜金属层在该金属凸块的该上表面上，且与其接触。

8.如权利要求7所述的集成电路的制造方法，还包括在形成该聚合物层之前，形成一焊料帽在该非铜金属层上且与其接触。

9.如权利要求7所述的集成电路的制造方法，还包括在形成该保护层之后，形成一抛光金属与该非铜金属层的一上表面与侧壁接触，其中该抛光金属没有形成在该保护层上。

10.如权利要求6所述的集成电路的制造方法，还包括将一第二工作件接合至该第一工作件，且在该第一及第二工作件之间填入一底部填充胶，其中该底部填充胶与该保护层接触。