[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

准备在第一导电型第一半导体层上具有第二导电型第二半导体层的半导体基板的工序；

形成自所述第二半导体层的表面延伸至所述第一半导体层内的槽的工序；

形成自所述槽的内壁延伸至所述第二半导体层的表面的栅极绝缘膜的工序；

在形成有所述栅极绝缘膜的所述槽内形成栅极电极的工序；

通过使所述栅极电极热氧化，在所述栅极电极的上表面形成栅极电极保护膜的工序；

在形成所述栅极电极保护膜后，在所述第二半导体层内离子注入杂质离子以形成第一导电型杂质区域的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极电极保护膜的工序中，在所述第二半导体层的上表面，热氧化膜与所述栅极绝缘膜重叠而形成；

所述栅极电极保护膜的膜厚度大于形成所述杂质区域的工序中所述杂质离子在所述栅极电极保护膜中的平均射程，并且，所述栅极绝缘膜和所述热氧化膜重叠后的膜厚度是不到所述杂质离子在所述栅极电极保护膜中的平均射程的70％的厚度。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述栅极电极保护膜的上表面位于比所述第二半导体层的上表面低的位置。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，夹在所述栅极电极和所述第二半导体层之间的所述栅极绝缘膜在所述栅极电极最上表面形成的厚度厚。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，与所述第二半导体层相对的所述栅极电极最上表面形成为具有随着自该第二半导体层离开而变高的最上部且此后朝向所述槽的中心部变低的山形；

所述第二半导体层和所述栅极电极最上表面之间的所述栅极绝缘膜形成为随着朝向所述最上部自规定的膜厚度逐渐变厚。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极电极后且在形成所述栅极电极保护膜之前，还具有自所述第二半导体层表面除去所述栅极绝缘膜的工序。