[发明专利]双重图形化方法、形成互连结构的方法

权利要求书

1.一种双重图形化方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成抗反射层；

在所述抗反射层上形成第一可图形化介质层；

图形化所述第一可图形化介质层，形成第一结构；

形成第二可图形化介质层，覆盖所述第一结构和抗反射层，且所述第二可图形化介质层的厚度大于所述第一结构的高度；

去除部分所述第二可图形化介质层，使所述第二可图形化介质层的厚度与所述第一结构的高度之差小于200埃；

图形化所述去除了部分的第二可图形化介质层，形成第二结构；

刻蚀所述抗反射层，露出所述基底，将所述第一结构和第二结构形成的图形转移到所述抗反射层。

2.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，利用溶剂处理或者干法刻蚀去除部分所述第二可图形化介质层。

3.如权利要求2所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述溶剂处理中使用的溶剂选自环己酮，环己酮衍生物，2-羟基-2-甲基丙酸甲酯，2-甲氧基-1-丙醇乙酸酯其中之一或者他们的任意组合。

4.如权利要求2所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述干法刻蚀中使用的偏置功率小于50w。

5.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，在形成第一结构后，形成第二可图形化介质层前还包括：对所述第一结构进行处理，所述处理方法选自热处理、电子束处理、紫外线处理、离子束处理、等离子体处理、微波处理其中一种方法或它们的任意组合。

6.如权利要求5所述的双重图形化方法，其特征在于，所述处理后的第一结构的介电常数不超过4.3。

7.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，在形成第二结构后，刻蚀所述抗反射层前还包括：对所述第二结构进行处理，所述处理方法选自热处理、电子束处理、紫外线处理、离子束处理、等离子体处理、微波处理其中一种方法或它们的任意组合。

8.如权利要求7所述的双重图形化方法，其特征在于，所述处理后的第二结构的介电常数不超过4.3。

9.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第一可图形化介质层和所述第二可图形介质的材料相同或者不同。

10.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第一可图形化介质层和所述第二可图形化介质层的材料为对光和酸敏感的聚合物，所述聚合物可以选自碳氢化合物、氟化的碳氢化合物、硅氧烷、硅烷、碳硅烷、有机硅酸盐、硅倍半氧烷其中之一或者他们的组合。

11.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，在所述基底和所述抗反射层之间还形成有中间层，所述中间层为连续层或断续层；

刻蚀所述抗反射层后继续刻蚀所述中间层，露出所述基底。

12.一种形成互连结构的方法，其特征在于，包括：

权利要求1～11任一项所述的双重图形化方法；

填充金属于所述第一结构和第二结构之间的沟槽，形成互连结构。

13.如权利要求12所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述金属为铜。