[发明专利]半导体元件与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含有：

一基底；

至少一栅结构，设于该基底上，该栅结构包含一栅介电层以及一栅电极；

至少一L形层，具有一第一脚边，与该栅电极接触，且沿着该栅电极延伸到一第一端点，以及一第二脚边，与该基底接触，且沿着该基底延伸到一第二端点，该L形层由一含金属的高介电常数材料所形成；

至少一间隙壁，与该L形层的该第一脚边跟第二脚边相接触；以及

一内应力层，覆盖在该栅结构、该L形层、该间隙壁以及该基底的部分区域，该内应力层与该L形层的该第一端点以及该第二端点相接触，该内应力层由一含金属的高介电常数材料所形成。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该内应力层为一供给应力至该L形层的接触蚀刻停止层。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该内应力层提供于栅结构下的该基底压应力或张应力。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该L形层的厚度小于25纳米。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该L形层提供于栅结构下的该基底压应力或张应力。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该间隙壁是选自氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅其中之一。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该间隙壁包含有两层材料，该两层材料是包含有下列组合其中之一：氧化硅/氮化硅、氮化硅/氧化硅、以及氧化硅/氮化硅/氧化硅。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该基底是为硅，该基底于一源/漏极区具有一浅凹槽。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，该浅凹槽的深度小于500埃。

10.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，该半导体元件的制作方法包含有：

提供一基底；

于基底上形成一栅介电层；

于该栅介电层上，形成一栅电极；

图案化该栅电极，以形成一栅结构；

于该栅结构的侧壁依序形成一应力材料层以及一间隙层；

用非等向性蚀刻，去除该栅结构的垂直表面上的该应力材料层以及该间隙层，但保留该栅结构的侧壁上的该应力材料层以及该间隙层，残留的该应力材料层与该间隙层分别形成了一L形层与一间隙壁，该L形层具有一第一脚边，与该栅电极接触，且沿着该栅电极延伸到一第一端点，以及一第二脚边，与该基底接触，且沿着该基底延伸到一第二端点，该L形层由一含金属的高介电常数材料所形成；以及

形成一内应力层于该基底、该间隙壁、该L形层、以及该栅结构之上，该内应力层与该L形层的该第一端点以及该第二端点相接触，该内应力层由一含金属的高介电常数材料所形成。

11.根据权利要求10所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，于该非等向性蚀刻去除该栅结构垂直表面上的该应力材料层以及该间隙层之后，该方法另包含有：

蚀刻该基底，以产生一浅凹槽。