[发明专利]多晶粒堆栈封装结构

权利要求书

1.一种多晶粒堆栈封装结构，包括：

一基板，具有一上表面及一下表面，该上表面上定义一晶粒设置区及配置有多个接点，所述接点位于该晶粒设置区之外；

一第一晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面，该第一晶粒以该背面设置于该晶粒设置区，该有源面上配置有多个第一焊垫且所述第一焊垫上形成一第一凸块；

多条金属导线，用以连接所述第一凸块至所述接点；

一第二晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面，该有源面上配置有多个第二焊垫，所述第二焊垫上形成一第二凸块，该第二晶粒以该有源面面对该第一晶粒的该有源面接合该第一晶粒，使所述第二凸块分别对应连接所述金属导线及所述第一凸块；

一封胶体，用以覆盖该基板、该第一晶粒、该第二晶粒及所述金属导线。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊垫位于该第一晶粒的该有源面的中央区域及所述第二焊垫位于该第二晶粒的该有源面的中央区域。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属导线与所述第二凸块之间进一步配置有至少一第三凸块。

4.一种多晶粒堆栈封装结构，包括：

一基板，具有一上表面及一下表面，该上表面上定义一晶粒设置区及配置有多个接点，所述接点位于该晶粒设置区之外；

一第一晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面，该第一晶粒以该背面设置于该晶粒设置区，该有源面上配置有多个第一焊垫且所述第一焊垫上形成一第一凸块；

一第二晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面以及多个直通硅晶栓塞，所述直通硅晶栓塞贯穿该第二晶粒以使该有源面与该背面间相互电性连接，该有源面上形成多个第二凸块分别连接所述直通硅晶栓塞，其中该第二晶粒以该背面面对该第一晶粒的该有源面接合该第一晶粒，使所述直通硅晶栓塞分别对应连接所述第一凸块；

多条金属导线，用以连接所述第二凸块至所述接点；

一第三晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面以及多个直通硅晶栓塞，所述直通硅晶栓塞贯穿该第三晶粒以使该有源面与该背面间相互电性连接，该有源面上形成多个第三凸块分别连接所述直通硅晶栓塞，其中该第三晶粒以该有源面面对该第二晶粒的该有源面接合该第二晶粒，使所述第三凸块分别对应连接所述金属导线及所述第二凸块；

一第四晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面，该有源面上配置有多个第二焊垫，且所述第二焊垫上形成一第四凸块，该第四晶粒以该有源面面对该第三晶粒的该背面接合该第三晶粒，使所述第四凸块分别对应连接该第三晶粒的所述直通硅晶栓塞；

一封胶体，用以覆盖该基板、该第一晶粒、该第二晶粒、该第三晶粒、该第四晶粒及所述金属导线。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊垫位于该第一晶粒的该有源面的中央区域及所述第二焊垫位于该第四晶粒的该有源面的中央区域，所述直通硅晶栓塞分别设置于该第二晶粒及该第三晶粒的中央区域。

6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述金属导线与所述第三凸块之间进一步配置有至少一第五凸块。

7.一种多晶粒堆栈封装结构，包括：

一基板，具有一上表面及一下表面，该上表面上定义一晶粒设置区及配置有多个接点，该晶粒设置区内形成一凹槽，所述接点位于该晶粒设置区之外；

一第一晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面，该第一晶粒以该背面设置于该凹槽中，该有源面上配置有多个第一焊垫且所述第一焊垫上形成一第一凸块；

多条金属导线，用以连接所述第一凸块至所述接点；

一第二晶粒，具有一有源面及相对该有源面的一背面，该有源面上配置有多个第二焊垫，所述第二焊垫上形成一第二凸块，该第二晶粒以该有源面面对该第一晶粒的该有源面接合该第一晶粒，使所述第二凸块分别对应连接所述金属导线及所述第一凸块；

一封胶体，用以覆盖该基板、该第一晶粒、该第二晶粒及所述金属导线。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊垫位于该第一晶粒的该有源面的中央区域，及所述第二焊垫位于该第二晶粒的该有源面的中央区域。

9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述金属导线与所述第二凸块之间进一步配置有至少一第三凸块。