[发明专利]半导体管芯封装及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201010147483.X 申请日: 2006-06-19
公开(公告)号: CN101807533A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: O·全;Y·崔;B·H·古伊;M·C·B·伊斯塔西欧;D·钟;T·T·肯恩;S·南;R·约什;C-L·吴;V·伊尔;L·Y·里姆;B-O·李 申请(专利权)人: 费查尔德半导体有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L25/00;H01L23/495;H01L23/28
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张政权
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体 管芯 封装 及其 制作方法
【说明书】:

本申请是申请日为2006年6月19日,发明名称为“半导体管芯封装及其制 作方法”的第200680024215.0号中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本发明是非临时的,并要求以下美国临时申请的优先权:2005年7月22日提 交的60/701,781;2005年6月30日提交的60/696,320;2005年6月30日提交 的60/696,027;2005年6月30日提交的60/696,350;2005年7月22日提交的 60/702,076;2005年6月30日提交的60/696,305;以及2005年12月21日提 交的60/753,040。这些美国临时申请通过引用通用地整体结合于此。

本发明的背景

各种半导体管芯封装是众所周知的。

虽然这些封装是有益的,但是可对它们进行改进。例如,进行上述许多封装 是很困难和/或昂贵的。

因此,期望提供经改进的半导体封装、用于制作半导体管芯封装的方法、这 些管芯封装的元件、以及使用这些半导体管芯封装的电气组件。可期望以较低的成 本来制造这些经改进的半导体管芯封装和/或期望其具有较好的功能。

本发明的概述

本发明的实施例涉及半导体管芯封装、用于制作半导体管芯封装的方法、以 及包括该半导体管芯封装的电子组件。

本发明的一个实施例涉及一种方法,包括:获得包括引线框架和模塑材料 (moldingmaterial)的预模制衬底(premoldedsubstrate),其中该引线框架结构包 括第一导电部分、第二导电部分以及在该第一导电部分与该第二导电部分之间的中 间部分;切割该中间部分以使该第一导电部分与该第二导电部分电隔离;将半导体 管芯附连到该衬底;以及将该第一和第二导电部分电耦合到该半导体管芯。

本发明的另一个实施例涉及一种半导体管芯封装,包括:包括引线框架和模 塑材料的预模制衬底,其中该引线框架结构包括第一导电部分、第二导电部分以及 在该第一导电部分与该第二导电部分之间的腔体;在该预模制衬底上的半导体管 芯;以及覆盖该半导体管芯并填充该第一导电部分与该第二导电部分之间的腔体的 包封材料。

本发明的另一个实施例涉及一种方法,包括:获得包括第一表面和第二表面 的预模制衬底,其中该预模制衬底包括引线框架结构和模塑材料,其中该引线框架 结构包括焊盘区,其中该焊盘区的外表面和该模塑材料的外表面基本上共面,并且 与该预模制衬底的第二表面重合;以及将至少两个半导体管芯附连到预模塑衬底的 第一表面。

本发明的另一个实施例涉及一种半导体管芯封装,包括:包括第一表面和第 二表面的预模制衬底,其中该预模制衬底包括引线框架结构和模塑材料,其中该引 线框架结构包括焊盘区,其中该焊盘区的外表面和该模塑材料的外表面基本上共 面,并且与该预模制衬底的第二表面重合;以及附连到预模塑衬底的第一表面的至 少两个半导体管芯。

本发明的另一个实施例涉及一种用于形成半导体管芯封装的方法,该方法包 括:形成衬底,其中形成衬底包括:(i)将引线框架结构放置在至少第一模塑管 芯与第二模塑管芯之间,(ii)使该引线框架结构与该第一和第二模塑管芯接触, 以及(iii)在该引线框架结构周围形成模塑材料;将半导体管芯附连到该衬底;以 及将该半导体管芯包封到包封材料中。

本发明的另一个实施例涉及一种半导体管芯封装,包括:衬底,其中形成的 衬底包括引线框架结构和模塑材料,其中该衬底形成至少一个凹面结构;以及在该 衬底上的半导体管芯。

本发明的另一个实施例涉及一种方法,包括:获得包括引线框架结构和模塑 材料的衬底,其中该模塑材料与该引线框架结构的表面基本上共面,并且其中该衬 底包括第一管芯附连区和第二管芯附连区;将第一半导体管芯附连到该第一管芯附 连区;以及将第二半导体管芯附连到该第二管芯附连区。

本发明的另一个实施例涉及一种半导体管芯封装,包括:包括引线框架结构 和模塑材料的衬底,其中该模塑材料与该引线框架结构的表面基本上共面,并且其 中该衬底包括第一管芯附连区和第二管芯附连区;在该第一管芯附连区上的第一半 导体管芯;以及在该第二管芯附连区上的第二半导体管芯。

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