[发明专利]半导体管芯封装及其制作方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

获得包括第一表面和第二表面的预模制衬底，

其中所述预模制衬底包括引线框架结构和模塑材料，

其中所述引线框架结构包括焊盘区，所述焊盘区具有外表面和内表面，

并且其中所述焊盘区的所述外表面和所述模塑材料的外表面共面，并且与 所述预模制衬底的所述第二表面重合，

并且其中所述第一表面包括模塑材料，且所述引线框架结构的所述焊盘区 的所述内表面部分地由模塑材料覆盖；以及

将至少两个半导体管芯附连到所述预模制衬底的所述第一表面，

其中至少一个管芯通过粘合剂附连至所述焊盘区上的所述模塑材料；

其中所述半导体管芯中的一个半导体管芯附连到未被所述焊盘区的模塑 材料覆盖的表面；以及

其中所述模塑材料使附连到所述模塑材料的所述半导体管芯与所述焊盘 区电隔离。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架结构包括多个导电 区，其中所述多个导电区处于所述衬底的边缘区处，并且所述焊盘是相对于所述衬 底的边缘区处的所述导电区的中央区下沉。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少两个半导体管芯中的至 少一个半导体管芯使用焊料来附连至所述焊盘区的内表面，其他半导体管芯使用粘 合剂附连至覆盖所述焊盘区的内表面的所述模塑材料。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架结构的焊盘区完全 由所述模塑材料覆盖，并且所述至少两个半导体管芯使用粘合剂来附连。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架结构包括管芯附连 区，其中所述管芯附连区与所述衬底的所述第一表面重合，并且所述管芯的至少之 一处于所述管芯附连区上。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架结构包括铜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底不具有侧向延伸通过所 述模塑材料的引线。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体管芯的至少之一包括 垂直器件。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管芯的至少之一包括垂直 MOSFET。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架结构包括多个导电 区，其中所述多个导电区处于所述衬底的边缘区，并且其中所述方法还包括将所述 管芯引线接合到所述导电区。

11.一种半导体管芯封装，包括：

包括第一表面和第二表面的预模制衬底，

其中所述预模制衬底包括引线框架结构和模塑材料，

其中所述引线框架结构包括焊盘区，所述焊盘区具有外表面和内表面，

其中所述焊盘区的所述外表面和所述模塑材料的外表面共面，并且与所述 预模制衬底的所述第二表面重合，

其中所述第一表面包括模塑材料，且所述引线框架结构的所述焊盘区的所 述内表面部分地由模塑材料覆盖；以及

耦合到所述预模制衬底的所述第一表面的至少两个半导体管芯，

其中至少一个管芯通过粘合剂附连至所述焊盘区上的所述模塑材料；

其中所述半导体管芯中的一个半导体管芯附连到未被所述焊盘区的模塑 材料覆盖的表面；以及

其中所述模塑材料使附连到所述模塑材料的所述半导体管芯与所述焊盘 区电隔离。

12.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述引线框架结构 包括多个导电区域，其中所述多个导电区处于所述衬底的边缘区处，并且所述焊盘 是相对于所述衬底的边缘区处的所述导电区的中央区下沉。

13.如权利要求11所述的半导体管芯封装，其特征在于，所述至少两个半导 体管芯中的至少一个半导体管芯使用焊料来附连至所述焊盘区的内表面，其他半导 体管芯使用粘合剂附连至覆盖所述焊盘区的内表面的所述模塑材料。