[发明专利]具有熔丝结构的电子元件及其修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有熔丝结构的电子元件，尤其涉及具有熔丝结构的电子元件的修复方法。

背景技术

半导体工艺技术的进展引人注目地缩小了集成电路(IC)元件的特征尺寸(feature sizes)，同时增加了元件堆叠密度(device packing density)。不幸地，当集成电路上的集成电路元件密度及分离的元件(discrete devices)数目增加时，许多集成电路元件的合格率会减少。分离的元件数目增加而使合格率减少的集成电路元件例如是动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory，DRAM)。

一种用以抑制因分离的元件增加而使随机存取存储器元件(RAM device)的合格率下降的方法提供额外的存储器单元行(additional rows of memorycells)，并将熔丝结构(fuse structures)接入每一行中。目前，激光光束被用来使随机存取存储器元件(例如，动态随机存取存储器或静态随机存取存储器元件)中的连接形成开路(即，破坏熔丝结构)，使有缺陷的存储器单元行失去效用，并调整地址解码器(address decoder)以选用备用的存储器单元行(sparerows of memory cells)来取代。

一般而言，具有高堆叠密度(packing density)的集成电路元件无法被修复(repaired)或调整(modified)。然而，有大量的集成电路是希望能被修复及/或被调整的。在一些情形中，实际使用的电路不会存在，直到集成电路通过破坏其中的一些连接而调整之后，才决定出其中的元件(components)之间如何彼此连接。在此情形中，熔丝结构形成于元件之间。可选择性地以激光光束移除特定的熔丝结构以修复和/或调整集成电路元件。

然而，由于激光光束工艺所需的特殊设备及高电能，使用激光光束来修复和/或调整集成电路元件会增加制作成本。在一些情形中，若激光光束的功率过高，除了欲破坏的熔丝结构以外的其他元件也可能受到破坏。此外，大尺寸熔丝结构的布局设计会占去许多芯片面积。再者，尽管使用特殊的设备，由于属高精准度工艺，制作合格率仍会减少。

因此，业界亟需新颖的具有熔丝结构的电子结构以有助于激光修复工艺(laser repairing process)的进行。

发明内容

为克服现有技术的缺陷，本发明一实施例提供一种具有熔丝结构的电子元件，其包括基底；至少一导电层，形成于基底中或上，且具有熔丝区；以及至少一透镜，设置于导电层的熔丝区之上，其中透镜大抵与熔丝区对准且透镜与熔丝区之间不设置有光学元件。

本发明另一实施例提供一种具有熔丝结构的电子元件，包括基底；多个导电层，形成于基底之中或上，且每一导电层具有熔丝区；以及多个透镜，分别设置于其中一导电层的熔丝区之上，其中每一透镜大抵与对应的熔丝区对准，且每一透镜与对应的熔丝区之间不设置有光学元件。

本发明一实施例提供一种具有熔丝结构的电子元件的修复方法，包括提供电子元件，包括基底；多个导电层，形成于基底之中或上，且每一导电层具有熔丝区；以及多个透镜，分别设置于其中一导电层的熔丝区之上，其中每一透镜大抵与对应的熔丝区对准，且每一透镜与对应的熔丝区之间不设置有光学元件；以及对其中一透镜照射光束以至少部分移除对应的透镜下方的导电层的对应的熔丝区。

本发明由于光束受到透镜的“聚焦”，因此光束的光点尺寸(spot size)可显著地缩小，导电层的相邻两熔丝区之间的距离也可缩小。因此，相比于现有技术，包含熔丝区的导电层可仅占去较小的芯片面积，有助于电子元件的尺寸缩小化。光束的照射精准度也可获得提升，这是因为具有较大尺寸的透镜现已成为了光束的“标靶”。此外，由于光束的能量亦会被“聚焦”至需要移除的熔丝区之上，熔丝区的切除工艺的进行将更为快速，并使产率与合格率提升。既然光束的能量受到透镜的聚焦而提升，低功率(low-powered)的光束将足以调整和/或修复电子元件的电路。因此，不再需要昂贵的高能光源设备。

由上所述，本发明通过在电子元件的熔丝区与光束之间设置透镜，可使电子元件的电路的修复或调整可有效率地进行。此外，晶片芯片尺寸及其中的电子元件的熔丝布局间距(fuse layout pitch)(即，相邻熔丝区之间的间距)可缩小。再者，用以产生光束(如激光光束)的特殊设备花费也可减少。

附图说明

图1A和1B分别显示本发明的发明人所知的一种具有熔丝结构的电子元件的剖面图及俯视图；