[发明专利]栅驱动MOSFET的静电放电测试结构及系统

权利要求书

1.一种栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构，包括金属氧化物半导体场效应晶体管和可调电阻，

所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与栅极焊盘连接，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与源极焊盘连接，

所述栅极焊盘与所述源极焊盘间连接所述可调电阻，所述可调电阻接入所述栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的电阻值根据栅偏置的需要进行调节。

2.根据权利要求1所述的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构，其特征在于，所述连接通过包括金属线在内的导体进行。

3.根据权利要求1或2所述的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构，其特征在于，所述可调电阻包括线形电阻，所述线形电阻有多个电阻焊盘，所述多个电阻焊盘中的两个电阻焊盘间的线形电阻长度与所述两个电阻焊盘间的电阻值成正比。

4.根据权利要求3所述的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构，其特征在于，所述源极焊盘和所述栅极焊盘分别与所述多个电阻焊盘中的第一电阻焊盘和第二电阻焊盘连接，所述第一电阻焊盘到所述第二电阻焊盘间的线形电阻长度等于需要接入所述栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的电阻值所对应的线形电阻长度。

5.一种栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试系统，包括：多个栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构，

所述多个栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构中的每一个包括：金属氧化物半导体场效应晶体管，

所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极与栅极焊盘连接，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与源极焊盘连接，

其中，所述多个栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构共享一个可调电阻，

所述多个栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构中的待静电放电测试的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极焊盘与源极焊盘间连接所述可调电阻，所述可调电阻接入所述待静电放电测试的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的电阻值根据栅偏置的需要进行调节；

所述多个栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构中不进行静电放电测试的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极焊盘和源极焊盘间断开与所述可调电阻的连接。

6.根据权利要求5所述的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试系统，其特征在于，所述可调电阻包括线形电阻，所述线形电阻有多个电阻焊盘，所述多个电阻焊盘中的两个电阻焊盘间的线形电阻长度与所述两个电阻焊盘间的电阻值成正比。

7.根据权利要求6所述的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试系统，其特征在于，所述待静电放电测试的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极焊盘和所述源极焊盘分别与所述多个电阻焊盘中的第一电阻焊盘和第二电阻焊盘连接，所述第一电阻焊盘到所述第二电阻焊盘间的线形电阻长度等于需要接入所述待静电放电测试的栅驱动金属氧化物半导体场效应晶体管的静电放电测试结构的电阻值所对应的线形电阻长度。