[发明专利]芯片尺寸两面连接封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片尺寸两面连接封装件，将在半导体基板上形成有LSI区域和电极连接区域的半导体芯片，与在位于其上下的第一主面及第二主面分别设置的外部连接用布线连接，其中，

在所述电极连接区域的需要的部位开口的孔内埋入低电阻金属，形成贯通电极，

在所述贯通电极的上表面区域或所述电极连接区域中固定并电连接带布线的柱电极部件，该带布线的柱电极部件中不仅形成有被支承部支承的柱电极，还形成有与其连接的正面布线，

在第一主面侧，在所述半导体芯片和所述支承部的之间的空间中填充树脂后，将通过剥离支承部露出的所述正面布线作为所述外部连接用的布线进行使用，而且，在第二主面侧，

将通过磨削所述半导体基板而露出的所述贯通电极的前端作为所述外部连接用的布线进行使用。

2.根据权利要求1所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在所述正面布线上形成有与其连接的外部连接用的外部电极。

3.根据权利要求1所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在第二主面侧，对于磨削了的所述半导体基板，以使所述贯通电极的前端露出的方式涂敷有背面绝缘层，形成有与该贯通电极的前端连接的外部电极。

4.根据权利要求1所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在第二主面侧，对于磨削了的所述半导体基板，以使所述贯通电极的前端露出的方式涂敷有背面绝缘层，形成有与该贯通电极的前端连接的背面布线。

5.根据权利要求4所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在第二主面侧，形成有与所述背面布线连接的外部电极。

6.根据权利要求1所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在半导体基板开口了相当于所述贯通电极的孔之后，在该孔的侧面堆积绝缘膜。

7.根据权利要求1所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在所述带布线的柱电极部件中，通过在作为支承部的导电性材料使带布线的柱状的柱电极生长，从而形成与支承部成为整体的带布线柱电极图案。

8.根据权利要求1所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在所述带布线的柱电极部件中，通过在支承部的一方的整个面粘贴薄膜的绝缘基材带，然后使带布线的柱状的柱电极生长，从而形成有与支承部成为整体的带布线柱电极图案。

9.根据权利要求8所述的芯片尺寸两面连接封装件，其中，在第一主面侧，将通过剥离所述支承部而残留的所述绝缘基材带作为保护膜进行使用。

10.一种芯片尺寸两面连接封装件的制造方法，将在半导体基板上形成有LSI区域和电极连接区域的半导体芯片，与在位于其上下的第一主面及第二主面分别设置的外部连接用布线连接，其中，

形成带布线的柱电极部件，该带布线的柱电极部件中不仅形成有被支承部支承的柱电极，还形成有与其连接的正面布线，

在要连接贯通电极的所述电极连接区域的中央或其附近，在半导体基板对相当于贯通电极的孔进行开口，

在该孔内埋入低电阻金属，形成贯通电极，

在所述贯通电极的上表面区域或所述电极连接区域，对通过所述支承部整体地连结的所述带布线的柱电极部件的多个柱电极的每一个，一并进行固定并电连接，

在第一主面侧，在所述半导体芯片和所述支承部之间的空间中填充树脂之后，通过剥离支承部使所述正面布线露出，

在第二主面侧，磨削所述半导体基板，使所述贯通电极的前端露出，

将在第一主面侧露出的所述正面布线、及在第二主面侧露出的所述贯通电极的前端分别作为所述外部连接用的布线进行使用。

11.根据权利要求10所述的芯片尺寸两面连接封装件的制造方法，其中，在所述正面布线上形成有与其连接的外部连接用的外部电极。

12.根据权利要求10所述的芯片尺寸两面连接封装件的制造方法，其中，在第二主面侧，对于磨削了的所述半导体基板，以使所述贯通电极的前端露出的方式涂敷有背面绝缘层，形成有与该贯通电极的前端连接的外部电极。

13.根据权利要求10所述的芯片尺寸两面连接封装件的制造方法，其中，在第二主面侧，对于磨削了的所述半导体基板，以使所述贯通电极的前端露出的方式涂敷有背面绝缘层，形成有与该贯通电极的前端连接的背面布线。