[发明专利]减少接触电阻影响的测试焊点设计

说明书

相关申请的交叉引用

本申请与在2007年3月30日申请的，并且，其标题为“高精确度通用片上切换矩阵测试线”(High Accuracy and Universal On-Chip Switch MatrixTestline)的普通转让的美国专利申请系列号11/731,444的专利申请相关，因此，该申请在这里一起被引用。

技术领域

本发明通常涉及到集成电路的制造，尤其涉及到晶片的验收测试，更加涉及到减少测试焊点的接触电阻的影响。

背景技术

集成电路(IC)制造商正在以日益减小的尺寸和相应的技术，来制造较小的、高速度的半导体器件。随同这些要求的提升，维持产量和生产能力的挑战也已经增加。

半导体晶片通常包括通过划片槽相互分隔开管芯(或芯片)。在晶片里的各芯片包括电路，并且，管芯用踞分割，然后，单独封装。在半导体制造工艺中，在晶片(例如，集成电路)上的半导体器件，必须按照选定的规定步骤或者在结束时进行测试，以保持和确保器件的质量。通常，测试电路随同实际的器件在晶片上同时制造。典型的测试方法提供多个测试焊点(通常称为工艺控制监视焊点，或者PCM焊点)，测试焊点位于表面的划片槽上。选取测试焊点以测试晶片的不同的性能，例如电压、驱动电流、泄漏电流等。

图1说明测试线10，其可以被形成在晶片的划片槽中，并且，可以包括比图1中所示的更多或更少的测试焊点(即：TP1到TP10)。测试焊点TP1到TP10的每一个被连接到将要被探测的器件的节点(或电路)。例如，测试焊点TP1到TP4可以被用于探测连接到晶体管的源、漏、栅和衬底。

部分测试方案被表示在图2中，其被用于测试(探测)晶体管22。晶体管22的漏24被连接到测试焊点TP1。传感-测量-装置(SMU)12，通过用节点14标记的探针，被连接到测试焊点TP1。电阻Rc表示在探针和测试焊点TP1之间的接触电阻。SMU12具有被连接到放大器18的输出的施加节点16，以及被连接到放大器18的负输入的传感节点20。为了测试晶体管22，SMU12试图施加一个电压，例如1V，到晶体管22的漏24，并且，通过晶体管22的电流I被检测。

由于接触电阻Rc，施加在晶体管22的漏24上的电压被减小。例如，如果接触电阻Rc是30Ohms，并且，电流I是1mA，那么，在接触电阻Rc上的电压降是30mV。当在测试点14处的电压是1V时，施加到漏24上的电压降低到0.97V，这与所需电压的有百分之3的偏移。于是，传感电流被偏移，这就导致对晶体管22的性能的错误评估。

对于具有大约1μm的栅宽度和大约0.04μm的栅长度的32nm标称的器件来说，传感性能的偏移可以达到大约百分之10。更糟糕的是，接触电阻Rc受到各种因素的影响，例如，探测晶片的等待时间、探针板的过度使用、和探针板的质量。结果，接触电阻可能在宽范围内变化，使得很难补偿探头的不准确度。于是，本技术领域需要一种可以克服现有技术不足的传感方案和结构。

发明内容

按照本发明的一个方面，集成电路结构包括：半导体晶片；在半导体晶片中的集成电路器件；和在半导体晶片的上表面上的并且连接到集成电路器件的多个测试焊点。测试焊点成对分组，多个测试焊点的每一对的测试焊点相互连接。

按照本发明的另一个方面，集成电路结构包括：包含有第一半导体芯片和第二半导体芯片的半导体晶片；在第一和第二半导体芯片之间的划片槽；在划片槽中的测试线；和在测试线中的第一、第二、第三和第四测试焊点。第一和第二测试焊点被相互连接构成第一对。第三和第四测试焊点被相互连接构成第二对。

按照本发明的又一个方面，集成电路探测器件包括：多个传感-测量-装置，其每一个包括施加节点；和电连接到施加节点的传感节点。集成电路探测器件进一步包括探针板，探针板包含有多个成对的探针。每一对探针包括连接到施加节点的第一探针，和连接到传感节点的第二探针，其中，施加节点和传感节点是多个传感-测量-装置中的相同的一个。

本发明的优点包括减少在探针和测试焊点之间的接触电阻的影响。因此，探测精确度得到改善。

附图说明

为了更加全面地了解本发明和本发明的优点，现在，结合附图，对本发明进行描述，其中：

图1示出常规技术的具有多个测试焊点的测试线；

图2示出常规技术的测试方案，其中，传感-测量-装置的施加节点和传感节点被连接到将要被探测的器件的节点；