[发明专利]减少接触电阻影响的测试焊点设计在审
| 申请号: | 200910168067.5 | 申请日: | 2009-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN101661924A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
| 发明(设计)人: | 董易谕;罗增锦;李建昌;邵志杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L23/52;G01R31/27 |
| 代理公司: | 北京市德恒律师事务所 | 代理人: | 马铁良 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 减少 接触 电阻 影响 测试 设计 | ||
1.一种集成电路结构包括:
半导体晶片;
在半导体晶片里的集成电路器件;和
设置在半导体晶片的上表面上的并且连接到所述集成电路器件的多个测试焊点,其中,测试焊点成对分组,且其中,同一对中的测试焊点相互连接。
2.按照权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述测试焊点在半导体晶片中形成测试线。
3.按照权利要求2所述的集成电路结构,其中,所述在测试线中的测试焊点等距离分隔开。
4.按照权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述测试焊点是在半导体晶片中的半导体芯片内。
5.按照权利要求1所述的集成电路结构,其中,在同一对中的测试焊点按照第一距离被分隔开,并且,多个测试焊点的相邻接的对按照大于第一距离的第二距离被分隔开
6.按照权利要求5所述的集成电路结构,其中,第一距离对于第二距离的比率小于1。
7.按照权利要求1所述的集成电路结构,其中,没有有源器件被形成在多个测试焊点的同一对中的测试焊点之间。
8.按照权利要求1所述的集成电路结构,在半导体晶片中还包括集成电路器件,其中,多个测试焊点中的一对被连接到集成电路器件的节点。
9.集成电路结构包括:
包含有第一和第二半导体芯片的半导体晶片;
在第一和第二半导体芯片之间的划片槽;
在划片槽中的测试线;和
在测试线中的第一、第二、第三和第四测试焊点,其中,第一和第二测试焊点被相互连接构成第一对,且其中,第三和第四测试焊点被相互连接构成第二对。
10.按照权利要求9所述的集成电路结构,其中,第一、第二、第三和第四测试焊点被等距离分隔开。
11.按照权利要求9所述的集成电路结构,其中,没有有源器件被形成在第一和第二测试焊点之间,并且,没有有源器件被形成在第三和第四测试焊点之间。
12.集成电路探测器件,包括:
多个传感-测量-装置,其每一个包括:
施加节点;和
电连接到施加节点的传感节点;和
探针板,包括有多个成对的探针,其中,每一对探针包括连接到多个传感-测量-装置中的同一个的施加节点的第一探针,和连接到多个传感-测量-装置中的同一个的传感节点的第二探针。
13.按照权利要求12所述的集成电路探测器件,其中,多个传感-测量-装置中的每一个被配置成将电压施加在第一探针上,用第一电流流过第一探针,且配置成探测通过第二探针的第二电流,且其中,第一电流小于第二电流至少两个级别。
14.按照权利要求12所述的集成电路探测器件,其中,在同一对中的第一探针和第二探针相互邻接,并且被第一距离分隔开,且相邻接的探针对被大于第一距离的第二距离分隔开。
15.按照权利要求14所述的集成电路探测器件,其中,第一距离与第二距离的比率是在约1/50和1之间。
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