[发明专利]半导体器件及其制造方法以及半导体密封用树脂

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及该半导体器件的制造方法以及半导 体密封用树脂。

背景技术

专利文献1中公开了一种密封半导体芯片的方法，在由Cu合金形 成的引线基质上作为基底镀覆进行Cu触击电镀，之后部分镀覆用于 引线接合或管芯焊接的银、金、钯等，用树脂等密封连接有引线的 半导体芯片。

非专利文献1为涉及固体物理学的古典文献，其中登载了晶格常 数(最邻近原子间距离等)。

非专利文献2中，关于在高分子材料的浸湿性、摩擦·磨蚀特性、 粘接性、生物适应性等方面高分子固体表面的构造和物性的控制， 记载了通过使用放射光的表面X射线衍射、扫描力显微镜的分析技术。

【专利文献1】特开平9-195068号公报

【非专利文献1】第5版Kittel固体物理学入门(上)：p.28、丸善 株式会社(1978年)。

【非专利文献2】Denso Technical Review：vol.12、No.2、pp.3～12 (2007年)

发明内容

即使如专利文献1中所记载，实施在引线基质上镀覆铜、银、金、 钯等后用树脂等密封半导体芯片的方法，由上述镀覆表面和树脂等 形成的密封体的粘合性也不充分，有时引起剥离。由于使用需要比 现有温度更高的回流焊温度(Reflow temperature)的无铅软焊条， 所以上述剥离的问题变得更加严重。

本发明的目的在于提供一种提高引线和密封体树脂(模树脂 (Mold Resin))的粘合性、不引起剥离的半导体器件。而且，本发 明的目的在于提供一种可靠性高的半导体器件。

进而，本发明的目的在于提供一种成品率高的半导体制造方法。

另外，本发明的目的在于提供一种不引起剥离的半导体密封用 树脂。

由本说明书的描述和附图可知本发明的上述和其他目的以及新 特征。

本发明的半导体器件具有半导体芯片和与所述半导体芯片电接 的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的 树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线 部分和埋入所述树脂中的内引线部分，所述树脂含有具有苯环的芳 香族化合物和/或具有环己烷环的化合物，在所述内引线部分的表 面材料和所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环 己烷环、和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原 子重叠排列。

根据本发明，可以提供一种提高引线和密封体树脂(模树脂) 的粘合性、不引起剥离的半导体器件。另外，根据本发明，可以提 供一种高可靠性的半导体器件。进而，根据本发明，可以提供一种 成品率高的半导体制造方法。

附图说明

【图1】为表示本发明的实施例的半导体器件的外观斜视图。

【图2】为图1的A-B剖面图。

【图3】为表示形成于图2的半导体器件上的引线的一部分的放大剖 面图。

【图4】为表示(111)取向的铜中含有的添加元素对剥离强度产生 的影响的图。

【图5】为表示(111)取向的镍中含有的添加元素对剥离强度产生 的影响的图。

【图6】为表示(111)取向的铂中含有的添加元素对剥离强度产生 的影响的图。

【图7】为表示(111)取向的钯中含有的添加元素对剥离强度产生 的影响的图。

【图8】为表示(001)取向的钌中含有的添加元素对剥离强度产生 的影响的图。

【图9】为表示(111)取向的金中含有的添加元素对剥离强度产生 的影响的图。

【图10】为表示(111)取向的银中含有的添加元素对剥离强度产生 的影响的图。

【图11】为表示添加到树脂中的环己烷分子对树脂和金或银的剥离 强度产生的影响的图。

【图12】为表示添加到树脂中的环己烷分子对树脂和铂、钯或钌的 剥离强度产生的影响的图。

【图13】为表示添加到树脂中的环己烷分子对树脂和被氧化的铜或 被氧化的镍的剥离强度产生的影响的图。

【图14】为表示铜的(111)取向率对剥离强度产生的影响的图。

【图15】为表示镍的(111)取向率对剥离强度产生的影响的图。