[发明专利]半导体器件及其制造方法以及半导体密封用树脂

权利要求书

1.一种半导体器件，具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连 接的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的 树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部 分和埋入所述树脂中的内引线部分，所述树脂含有具有苯环的芳香族 化合物和/或具有环己烷环的化合物，使所述内引线部分的表面材料 与所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环己烷环 和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排 列，所述内引线部分的表面材料含有选自硼、锰和硅中的一种元素作 为添加元素，所述金属原子是铜或镍，在所述添加元素为硼时所述添 加元素的含有率为0.5～12at％，在所述添加元素为锰时所述添加元素 的含有率为0.2～13at％，在所述添加元素为硅时所述添加元素的含有 率为0.2～13at％，所述树脂是在含有40at％以上苯环的芳香族化合物中 仅添加1～20at％的环己烷分子的树脂。

2.一种半导体器件，具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接 的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树 脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和 埋入所述树脂中的内引线部分，所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物 和/或具有环己烷环的化合物，使所述内引线部分的表面材料与所述树 脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环己烷环和作为所述 内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列，所述内引线 部分的表面材料含有选自硼、锰和硅中的一种元素作为添加元素，所述 金属原子是铂、钯或钌，在所述添加元素为硼时所述添加元素的含有率 为0.1～12at％，所述添加元素为锰时所述添加元素的含有率为0.2～ 13at％，所述添加元素为硅时所述添加元素的含有率为0.4～13at％，所 述树脂是在含有40at％以上苯环的芳香族化合物中仅添加1～20at％的环 己烷分子的树脂。

3.一种半导体器件，具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接 的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树 脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和 埋入所述树脂中的内引线部分，所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物 和/或具有环己烷环的化合物，使所述内引线部分的表面材料与所述树 脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环己烷环和作为所述 内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列，所述内引线 部分的表面材料含有选自硼、锰和硅中的一种元素作为添加元素，所述 金属原子是金或银，在所述添加元素为硼时所述添加元素的含有率为 0.2～13at％，所述添加元素为锰时所述添加元素的含有率为0.4～13at％， 所述添加元素为硅时所述添加元素的含有率为0.1～12at％，所述树脂是 在含有40at％以上苯环的芳香族化合物中仅添加2～40at％的环己烷分子 的树脂。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述内引线部分 的表面晶体组织具有铜或镍的(111)晶体取向。

5.如权利要求1或4所述的半导体器件，其特征在于，所述内引线 部分的表面材料含有氧。

6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述内引线部分 的表面晶体组织具有铂或钯的(111)晶体取向或钌的(001)晶体取向。

7.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述内引线部分 的表面晶体组织具有金或银的(111)晶体取向。